[发明专利]半导体存储装置以及该半导体存储装置的刷新方法

说明书

本公开提供了一种半导体存储装置以及该半导体存储装置的刷新方法。一种半导体存储装置包括多个存储体和刷新控制电路。在每多个周期中，刷新控制电路以第一刷新率对多个存储体的至少一个存储体执行刷新操作，并且以第二刷新率对多个存储体的其他存储体执行刷新操作。刷新控制电路使以第一刷新率对其执行了刷新操作的至少一个存储体在多个周期中的每一个周期或每多于一个的周期中循环。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年8月9日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0092786的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种集成电路技术，并且更具体地，涉及一种半导体存储装置及其刷新方法。

背景技术

电子设备可以包括许多电子组件。例如，计算机系统可以包括大量具有半导体的半导体装置。计算机系统可以包括数据储存器件和作为主机设备进行操作的处理器。处理器可以对各种类型的数据执行操作，并且将结果得到的数据储存在数据储存器件中。处理器还可以接收储存在数据储存器件中的数据。处理器可以以相对高的速度操作，而数据储存器件可以以相对低的速度操作。因此，计算机系统可以包括存储器件来促进处理器与数据储存器件之间的数据的传输。

这种存储器件的代表性示例可以包括动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM可以包括被配置为电容器的存储单元，并且可以以高速来执行数据输入/输出操作。此外，因为DRAM可以被设计成具有宽带宽，所以DRAM被最频繁地用作存储器件。然而，由于由电容器组成的存储单元的特性，DRAM具有不保留储存在其中的数据的易失性存储器的特性。因此，DRAM需要通过周期性地执行刷新操作来保留储存在存储单元中的数据。近来，非易失性存储器(诸如电阻式RAM、相变RAM或磁性RAM)也执行刷新操作来保留数据。

发明内容

在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括多个存储体和刷新控制电路。刷新控制电路可以被配置为在每多个周期中，以第一刷新率对多个存储体中的至少一个存储体执行刷新操作，并且以第二刷新率对多个存储体中的其他存储体执行刷新操作。刷新控制电路可以使以第一刷新率对其执行刷新操作的至少一个存储体在多个周期中的每一个周期或每多于一个的周期中循环。

在一个实施例中，提供一种半导体存储装置的刷新方法，该半导体存储装置包括第一存储体和第二存储体，所述第一和第二存储体中的每个存储体都具有至少四个单位单元阵列。刷新方法可以包括：在第一周期期间，对第一存储体的第一单位单元阵列执行刷新操作，并且对第二存储体的第一单位单元阵列和第三单位单元阵列执行刷新操作。刷新方法可以包括：在第二周期期间，对第一存储体的第二单位单元阵列和第四单位单元阵列执行刷新操作，并且对第二存储体的第二单位单元阵列执行刷新操作。在另一个实施例中，刷新方法还可以可包括：在附加的周期期间，对第一存储体的第三单位单元阵列和第二存储体的第四单位单元阵列执行刷新操作。

在一个实施例中，提供一种半导体存储装置的刷新方法，该半导体存储装置包括第一存储体、第二存储体、第三存储体和第四存储体，所述第一存储体、第二存储体、第三存储体和第四存储体中的每个存储体都具有至少八个单位单元阵列。刷新方法可以包括：在第一周期期间，对第一存储体的第一单位单元阵列执行刷新操作，并且对第二存储体至第四存储体的第一单位单元阵列和第五单位单元阵列执行刷新操作。刷新方法可以包括：在第二周期期间，对第二存储体的第二单位单元阵列执行刷新操作，并且对第一存储体、第三存储体和第四存储体的第二单位单元阵列和第六单位单元阵列执行刷新操作。