[发明专利]显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的基板和薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括层叠设置的多个第一膜层和多个第二膜层，所述第一膜层为单一材料膜层，所述第二膜层为多种不同材料层层叠而成的复合膜层，所述第一膜层包括设置在与其相邻的膜层之间的低温成核子膜层，所述第二膜层中相邻的两种所述材料层之间设有过渡层，所述过渡层为相邻的两种所述材料层中的原子所构成的复合材料层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一膜层包括氧化硅膜层或氮化硅膜层，所述氧化硅膜层包括阻挡层和栅极绝缘层，所述氮化硅膜层包括电介质层和钝化层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层包括在200℃下沉积而成的第一阻挡层和在370℃下沉积而成的第二阻挡层，所述第一阻挡层的厚度为30-50纳米，所述第二阻挡层的厚度为550-570纳米。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括在200℃下沉积而成的第一栅极绝缘层和在420℃下沉积而成的第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层的厚度为30-50纳米，所述第二栅极绝缘层的厚度为90-110纳米。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电介质层包括在200℃下沉积而成的第一电介质层和在420℃下沉积而成的第二电介质层，所述第一电介质层的厚度为30-50纳米，所述第二电介质层的厚度为70-90纳米。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述钝化层包括在100℃下沉积而成的第一钝化层和在270℃下沉积而成的第二钝化层，所述第一钝化层的厚度为30-50纳米，所述第二钝化层的厚度为220-240纳米。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二膜层包括至少一个氧化硅膜层和氮化硅膜层，所述第二膜层包括第一无机膜层和第二无机膜层。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机膜层包括依次层叠的氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜层；其中，所述氮化硅膜层包括在200℃下沉积而成的第一氮化硅膜层和在420℃下沉积而成的第二氮化硅膜层，所述第一氮化硅膜层的厚度为5-15纳米，所述第二氮化硅膜层的厚度为30-40纳米；所述氮氧化硅膜层的沉积温度为420℃，所述氮氧化硅膜层的厚度为90-110纳米；所述氧化硅膜层包括在200℃下沉积而成的第一氧化硅膜层和在420℃下沉积而成的第二氧化硅膜层，所述第一氧化硅膜层的厚度为30-50纳米，所述第二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机膜层包括依次层叠的氧化硅膜层、氮氧化硅膜层和氮化硅膜层；其中，所述氧化硅膜层包括在200℃下沉积而成的第三氧化硅膜层和在370℃下沉积而成的第四氧化硅膜层，所述第三氧化硅膜层的厚度为30-50纳米，所述第四氧化硅膜层的厚度为220-240纳米；所述氮氧化硅膜层的沉积温度为370℃，所述氮氧化硅膜层的厚度为90-110纳米；所述氮化硅膜层包括在200℃下沉积而成的第三氮化硅膜层和在370℃下沉积而成的第四氮化硅膜层，所述第三氮化硅膜层的厚度为30-50纳米，所述第四氮化硅膜层的厚度为170-190纳米。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一所述的显示面板。