[发明专利]显示面板及显示装置

说明书

本发明提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括依次层叠设置的基板和薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括层叠设置的多个第一膜层和多个第二膜层，所述第一膜层为单一材料膜层，所述第二膜层为多种不同材料层层叠而成的复合膜层，所述第一膜层包括设置在与其相邻的膜层之间的低温成核子膜层，所述第二膜层中相邻的两种所述材料层之间设有过渡层，所述过渡层为相邻的两种所述材料层中的原子所构成的复合材料层。本发明能够有效的降低显示面板中不同的膜层之间的晶界缺陷，从而降低静电产生的几率，提高显示面板的使用寿命。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

静电放电是造成有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件受到破坏的主要因素，有机发光二极管器件中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)由多种不同的膜层层叠设置而成，相邻的膜层间由于材料的不同，在二者相邻的界面处会存在大量的晶界缺陷，使得二者相邻的界面积聚大量的正负电荷及外界杂质离子，从而导致电荷的积累，进而导致静电。

发明内容

为了克服现有技术下的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种显示面板及显示装置，本发明的显示面板能够有效的降低不同的膜层之间的晶界缺陷，从而降低静电产生的几率，提高显示面板的使用寿命。

本发明一实施例提供一种显示面板，包括依次层叠设置的基板和薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括层叠设置的多个第一膜层和多个第二膜层，所述第一膜层为单一材料膜层，所述第二膜层为多种不同材料层层叠而成的复合膜层，所述第一膜层包括设置在与其相邻的膜层之间的低温成核子膜层，所述第二膜层中相邻的两种所述材料层之间设有过渡层，所述过渡层为相邻的两种所述材料层中的原子所构成的复合材料层。

本实施例第一膜层包括设置在与其相邻的膜层之间的低温成核子膜层，低温成核子膜层的材料与第一膜层的材料相同，由于原子在低温成核子膜层表面的迁移能力较弱，因此低温成核子膜层能够有效的降低第一膜层和与其相邻的膜层之间的晶界缺陷，减少电荷在界面处的积累，降低静电产生的几率；进一步地，本实施例在第二膜层中相邻的两种材料层之间设有过渡层，过渡层为相邻的两种材料层中的原子所构成的复合材料层，从而可以降低相邻的两个膜层之间的晶格差异，以降低晶界缺陷，减少电荷在界面处的积累，降低静电产生的几率。通过上述方案，本实施例能够保证显示面板的正常显示同时显著的提高显示面板的使用寿命。

如上所述的显示面板，可选地，所述第一膜层包括氧化硅膜层或氮化硅膜层，所述氧化硅膜层包括阻挡层和栅极绝缘层，所述氮化硅膜层包括电介质层和钝化层。

如上所述的显示面板，可选地，所述阻挡层包括在200℃下沉积而成的第一阻挡层和在370℃下沉积而成的第二阻挡层，所述第一阻挡层的厚度为30-50纳米，所述第二阻挡层的厚度为550-570纳米。

如上所述的显示面板，可选地，所述栅极绝缘层包括在200℃下沉积而成的第一栅极绝缘层和在420℃下沉积而成的第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层的厚度为30-50纳米，所述第二栅极绝缘层的厚度为90-110纳米。

如上所述的显示面板，可选地，所述电介质层包括在200℃下沉积而成的第一电介质层和在420℃下沉积而成的第二电介质层，所述第一电介质层的厚度为30-50纳米，所述第二电介质层的厚度为70-90纳米。

如上所述的显示面板，可选地，所述钝化层包括在100℃下沉积而成的第一钝化层和在270℃下沉积而成的第二钝化层，所述第一钝化层的厚度为30-50纳米，所述第二钝化层的厚度为220-240纳米。

如上所述的显示面板，可选地，所述第二膜层包括至少一个氧化硅膜层和氮化硅膜层，所述第二膜层包括第一无机膜层和第二无机膜层。