[发明专利]一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法

权利要求书

1.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：

提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；

以烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与薄膜或厚膜双面线路，以淋膜、涂布、刮刀的其中一种方法，于表面布上整面的绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；

于该晶粒的外的位置进行切割，即可形成无外引脚的封装结构，即完成单颗小尺寸芯片型半导体的制作；以及

依据晶粒设计方式，制作成正向、反向或双向的芯片型半导体元件。

2.如权利要求1所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中该晶粒具有一上电极一下电极、一上电极二下电极、二上电极一下电极、二下电极、一上电极多下电极或多上电极一下电极的至少一种。

3.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：

提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；

利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄膜或厚膜双面线路的线路板；以及

于上盖板表面涂布一层黏着剂，以连接该上盖板与该晶粒，且以灌注方法，于内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理。

4.如权利要求3所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中该上盖板为陶瓷板、塑料板、复合材料板，亦可黏贴散热板，以增加散热性能。

5.如权利要求1或3所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中含薄膜或厚膜双面线路的该线路板更包含双面连通设计的阵列式外电极。

6.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：

提供含三电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；

利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路；以及

以灌注方式，填充绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理。

7.如权利要求6所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中封装的该贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件具有电流方向一进二出或正向加接地引出、反向加接地引出及双向+接地引出的型式。

8.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：

提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；

利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄膜或厚膜线路；

以灌注方法，内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；

切割后以涂布、沾银、薄膜制程方式制作单边端电极，使单边端电极与预留电极接点进行连通，即完成单颗小尺寸芯片半导体的制作；以及

进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。

9.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：

提供含三电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；

利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路；以及

以灌注方法，于内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；

切割后以涂布、沾银、薄膜制程方式制作两端电极，使两端电极与预留电极接点进行连通，即完成单颗小尺寸三电极芯片半导体的制作；以及

进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。