[发明专利]一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法在审
申请号: | 201910699977.X | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN112151390A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 连清宏;邱承贤;黄兴材;黄兴祥 | 申请(专利权)人: | 立昌先进科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 薛永谦 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 贴片式单颗小 尺寸 阵列 芯片 半导体 元件 封装 方法 | ||
本发明为一种贴片式(SMD型)单颗小尺寸及阵列型(Array Type)的芯片半导体元件新封装方法,利用线路板双面连通设计方式将双面线路板的内外层预留两或多个连接端点,并利用钻孔和电镀的制程方式将内外层的线路作一连结,内层两或多个连接端点作为内电极与半导体晶粒连结用,外层两或多个连接端点作为外电极供SMT焊接时使用。
技术领域
本案涉及一种芯片半导体封装的新制作方法,尤其涉及一种贴片式单颗 小尺寸及阵列型的芯片半导体封装的新制作方法。
背景技术
半导体封装的公知技术为导线架以环氧树脂100封装后,于芯片两端留 下外引脚101,方便后续焊接制程,因为制程及应用面的不同,外引脚的形式 各有不同,如图1所示。
发明内容
本发明提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方 法,包含:提供含正电极及负电极的晶粒,且提供含薄膜或厚膜双面线路的 线路板,双面的该线路板上预留两或多个连接端点,再利用钻孔和电镀的制 程方法将上下两面电路垂直方式连接;以烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正 电极及负电极与薄膜或厚膜双面线路,以淋膜、涂布、刮刀..等方法,于表面 布上整面的绝缘封装材料,并进行绝缘封装材料熟化处理;于该晶粒的外的 位置进行切割,即可形成无外引脚的封装结构,即完成单颗小尺寸芯片型半 导体的制作;以及依据晶粒设计方式,制作成正向、反向或双向的芯片型半 导体元件。
本发明的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法,其 中该晶粒具有一上电极一下电极、一上电极二下电极、二上电极一下电极、 二下电极、一上电极多下电极或多上电极一下电极…等。
本发明提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方 法,包含提供含正电极及负电极的晶粒,且提供含薄膜或厚膜双面线路的线 路板,双面的该线路板上预留两或多个连接端点,再利用钻孔和电镀的制程 方法将上下两面电路垂直方式连接;利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正 电极及负电极与该薄膜或厚膜双面线路的线路板;以及于上盖板表面涂布一 层黏着剂,以连接该上盖板与该晶粒,且以灌注方法,于内部填满绝缘封装 材料,并进行绝缘封装材料熟化处理。
本发明的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法,其 中该上盖板为陶瓷板(例如:氧化铝板、氮化铝板..等)、塑料板(例如:PE、PP、 PC、聚亚酰胺、工程塑料..等)、复合材料板(例如:碳纤板、玻纤板..等)..等, 亦可黏贴散热板,以增加散热性能。
本发明的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法,其 中含薄膜或厚膜双面线路的该线路板更包含双面连通设计的阵列式外电极。
本发明提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方 法,包含:提供含三电极的晶粒,且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线 路板;利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路; 以及以灌注方式,填充绝缘封装材料,并进行绝缘封装材料熟化处理。
本发明的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法,其 中封装的该贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件具有电流方向一进 二出或正向加接地引出、反向加接地引出及双向+接地引出的型式。
本发明提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方 法,包含:提供含正电极及负电极的晶粒,且提供含薄膜或厚膜双面线路的 至少二线路板;利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄 膜或厚膜线路;以灌注方法,内部填满绝缘封装材料,并进行绝缘封装材料 熟化处理;切割后以涂布、沾银、薄膜制程等方式制作单边端电极,使单边 端电极与预留电极接点进行连通,即完成单颗小尺寸芯片半导体的制作;以 及进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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