[发明专利]一种高功率的水平阵列式半导体激光器

权利要求书

1.一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；

所述上压块、下压块设置于所述激光器单元两侧，呈对称设置，所述上压块顶面中心呈通孔状结构，形成上压块固定孔，所述压块固定孔呈直线状排列；所述上压块呈中空状结构，形成上制冷通道孔，所述上制冷通道孔横向设置于每侧所述上压块内，所述上制冷通道孔一端伸出所述上压块侧面，所述上制冷通道孔一端伸出所述上压块底面；所述下压块呈中空状结构，形成下制冷通道孔，所述下制冷通道孔横向设置于每侧所述下压块内，所述下制冷通道孔一端伸出所述下压块侧面，所述下制冷通道孔一端伸出所述下压块底面；所述上压块与所述下压块呈反向设置；

所述激光器单元设置于两个所述压块之间，所述激光器单元在压块上表面沿水平方向，呈正反面横向排列设置；所述激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片，所述芯片设置于所述里冷却片表面一端，所述绝缘片设置于所述里冷却片表面另一端，所述负极连接片设置于所述绝缘片上表面；所述负极连接片两端设有制冷通道孔，所述负极连接片中心设有压块连接孔，所述负极连接片一角设有负极连接孔；

所述电级连接片设置于所述激光器单元两侧，所述电极连接片呈薄片状结构，所述电级连接片两端中心呈凸块状结构，形成限位卡块，所述限位卡块与所述电级连接片固定连接，呈一体式结构，所述电级连接片两端设有电级制冷通道孔，所述电级连接片中心设有电级连接孔，所述电极连接片两角设有电级连接孔；所述电极连接片一侧贴合于一个所述激光器单元的负极连接片，所述电极连接片一侧贴合于另一个所述激光器单元的里冷却片，两个所述激光器单元通过限位卡块相隔实现限位固定；所述正极片设置于所述一端所述激光器单元的底面，所述正极片贴合于所述激光器单元的里冷却片侧；所述负极片设置于一端激光器的顶面，所述负极片贴合于所述激光器单元的负极连接片侧；所述外冷却片设置于每侧所述电极连接片外侧；

所述防护板分别贴合于所述上压块、下压块一侧，呈对称设置，所述防护板上设有防护板安装孔，每个所述防护板通过紧固件贯穿防护板安装孔与所述上压块、下压块实现固定。

2.根据权利要求1所述的一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，所述上制冷通道孔数量为两个，呈对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，所述下制冷通道孔数量为两个，呈对称设置，所述下制冷通道与所述上制冷通道的位置相对应。

4.根据权利要求3所述的一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，所述上压块与所述下压块的大小相同，每组所述激光器单元与所述下压块呈垂直交错设置，所述下压块的长度略大于多组所述激光器单元的宽度，宽度略小于每组所述激光器单元的长度。

5.根据权利要求1所述的一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，所述上压块固定孔数量与所述激光器单元的数量相一致，每个所述上压块固定孔位置与所述压块连接孔位置相适应。

6.根据权利要求1-5所述的一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，单个所述激光器单元的一种结构为，所述里冷却片呈薄板状结构，所述负极连接片呈薄板状结构，所述里冷却片与所述负极连接片厚度相同，所述芯片正极键合于所述里冷却片上表面一端，所述芯片负极键合于所述负极连接片下表面一端，实现芯片设置所述里冷却片、负极连接片之间固定。

7.根据权利要求1-5所述的一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，单个所述激光器单元的另一种结构为，所述里冷却片表面一端呈层台状结构，形成里冷却片凹槽，所述芯片设置于所述冷却片凹槽内，所述芯片正极键合于所述里冷却片实现固定；所述绝缘片设置于里冷却片表面一端，与所述里冷却片实现固定；所述负极连接片设置于所述里冷却片顶面，所述负极连接片厚度小于所述里冷却片，所述负极连接片底面一端呈凸台状结构，形成负极连接片凸块，所述负极连接片凸块与所述芯片负极键合固定。