[发明专利]一种高功率的水平阵列式半导体激光器

说明书

一种高功率的水平阵列式半导体激光器，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；上压块、下压块设置于激光器单元两侧，呈对称设置；激光器单元设置于两个压块之间，单个激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片；电级连接片设置于激光器单元两侧；正极片设置于一端激光器单元的底面；负极片设置于一端激光器的顶面；外冷却片设置于每侧电极连接片外侧；防护板分别贴合于上压块、下压块一侧，呈对称设置。本发明电极连接片的制造工艺难度，制造成本低，散热性能好，换热效率高，保证激光器可处于高性能运行状态。

技术领域

本发明涉及激光器领域，特别是一种高功率的水平阵列式半导体激光器。

背景技术

半导体激光器是利用半导体材料作为工作物质的激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。半导体激光器的封装结构可以分为水平阵列式激光器和层叠阵列式激光器，水平阵列式激光器的结构为将单Bar半导体激光器沿水平方向排列。单个Bar半导体激光器进行水平排列需要进行连接时，相邻的Bar条之间需要采用连接片将两Bar条之间电极实现连接，因每个Bar条均处于同向设置的状态，便需要电极之间的连接片制作为“Z”字形结构，实现两Bar条正负极之间电连接。现有电极连接片的需要进行翻折处理，结构形式复杂，导致电极连接片的制作工艺复杂，对生产精准度要求高，制造成本较高；电极连接片与Bar条之间对位不准确，导致半导体激光器性能效率低。

发明内容

为了解决上述存在的问题，本发明公开了一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其具体技术方案如下：一种高功率的水平阵列式半导体激光器包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；

所述上压块、下压块设置于所述激光器单元两侧，呈对称设置，所述上压块顶面中心呈通孔状结构，形成上压块固定孔，所述压块固定孔呈直线状排列；所述上压块呈中空状结构，形成上制冷通道孔，所述上制冷通道孔横向设置于每侧所述上压块内，所述上制冷通道孔一端伸出所述上压块侧面，所述上制冷通道孔一端伸出所述上压块底面；所述下压块呈中空状结构，形成下制冷通道孔，所述下制冷通道孔横向设置于每侧所述下压块内，所述下制冷通道孔一端伸出所述下压块侧面，所述下制冷通道孔一端伸出所述下压块底面；所述上压块与所述下压块呈反向设置；

所述激光器单元设置于两个所述压块之间，所述激光器单元在压块上表面沿水平方向，呈正反面横向排列设置；所述激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片，所述里冷却片呈薄板状结构，所述负极连接片呈薄板状结构，所述里冷却片与所述负极连接片厚度相同，所述芯片正极键合于所述里冷却片上表面一端，所述芯片负极键合于所述负极连接片下表面一端，实现芯片设置所述里冷却片、负极连接片之间固定；所述负极连接片两端设有制冷通道孔，所述负极连接片中心设有压块连接孔，所述负极连接片一角设有负极连接孔；

所述电级连接片设置于所述激光器单元两侧，所述电极连接片呈薄片状结构，所述电级连接片两端中心呈凸块状结构，形成限位卡块，所述限位卡块与所述电级连接片固定连接，呈一体式结构，所述电级连接片两端设有电级制冷通道孔，所述电级连接片中心设有电级连接孔，所述电极连接片两角设有电级连接孔；所述电极连接片一侧贴合于一个所述激光器单元的负极连接片，所述电极连接片一侧贴合于另一个所述激光器单元的里冷却片，两个所述激光器单元通过限位卡块相隔实现限位固定；所述正极片设置于所述一端所述激光器单元的底面，所述正极片贴合于所述激光器单元的里冷却片侧；所述负极片设置于一端激光器的顶面，所述负极片贴合于所述激光器单元的负极连接片侧；所述外冷却片设置于每侧所述电极连接片外侧；

所述防护板分别贴合于所述上压块、下压块一侧，呈对称设置，所述防护板上设有防护板安装孔，每个所述防护板通过紧固件贯穿防护板安装孔与所述上压块、下压块实现固定。

进一步的，所述上制冷通道孔数量为两个，呈对称设置。