[发明专利]具有低凹陷和低侵蚀形貌的钨化学机械平面化(CMP)

权利要求书

1.一种化学机械平坦化（CMP）组合物，其包含：

磨料；

氧化剂；

脒化合物或其水解衍生物，其包含通过双键与第一氮原子键合且通过单键与第二氮原子键合的碳原子，所述脒化合物具有以下结构：

其中

R₁、R₂、R₃和R₄独立地选自：氧；氮；氢；碳；杂环碳环；饱和或不饱和环状基团，其可以是取代的或未取代的；直链或支链C₁至C₂₀烷基，其可以是饱和的或不饱和的，且其可以包含饱和或不饱和环状基团；和由R₁、R₂、R₃、R₄中的两个或三个形成的饱和或不饱和环结构，所述环任选地被取代；和

溶剂；

其中所述CMP组合物具有1至5的pH，其中所述脒化合物是双环脒化合物或其水解衍生物，其中所述脒化合物具有正电荷分布。

2.根据权利要求1所述的CMP组合物，其中所述脒化合物具有至少一个大于9的pKa。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述CMP组合物具有2至5的pH。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述磨料包括以下中的至少一种：胶体二氧化硅；气相二氧化硅；氧化铝；二氧化钛；氧化铈；氧化锆；表面改性颗粒，其选自含激活剂颗粒、复合颗粒、晶格掺杂和无机氧化物颗粒；和阳离子或阴离子电荷改性颗粒。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述氧化剂包括以下中的至少一种：过氧化氢；过氧化脲；过氧甲酸；过乙酸；过氧丙酸；取代或未取代的过氧丁酸；氢过氧基-乙醛；高碘酸钾；过氧单硫酸铵；和亚硝酸铁；KClO₄；KBrO₄；和KMnO₄。

6.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述脒化合物包含杂环碳环。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述双环脒化合物包括以下中的至少一种：2-苯基-2-咪唑啉；1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯；1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯溶液；1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯；1,5,7-三氮杂双环[4.4.0]癸-5-烯；7-甲基-1,5,7-三氮杂双环[4.4.0]癸-5-烯；3,3,6,9,9-五甲基-2,10-二氮杂双环[4.4.0]癸-1-烯；和1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯。

8.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述脒化合物是1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯或其水解衍生物。

9.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述脒化合物是2-苯基-2-咪唑啉或其水解衍生物。

10.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述溶剂选自：水、醇类、醚类、酮类、二醇类、有机酸类及其组合。

11.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其中所述脒化合物是在pH 2.3下具有大于8毫伏的ζ电位的双环脒化合物的水解衍生物。

12.根据权利要求1-2中任一项所述的CMP组合物，其还包含选自以下的激活剂：可溶性激活剂化合物；表面用激活剂化合物改性的颗粒；激活剂包括在颗粒核和表面两者中的颗粒；和包含暴露在壳表面上的激活剂的核-壳复合颗粒。