[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

支撑框架，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括连接所述第一表面和所述第二表面的腔；

半导体芯片，设置在所述腔中，并具有布置有接触焊盘的有效表面；以及

连接构件，设置在所述支撑框架的所述第二表面和所述半导体芯片的所述有效表面上，

其中，所述半导体芯片包括：

第一绝缘膜，设置在所述有效表面上并使所述接触焊盘暴露；重新分布层图案，连接到所述接触焊盘并延伸到所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，设置在所述有效表面上并包括使所述重新分布层图案的连接区域暴露的第一开口；以及导电防裂层，设置在所述连接区域上并具有外周区域，所述外周区域延伸到围绕所述第一开口的所述第二绝缘膜的一部分上，并且

所述连接构件包括：

绝缘层，设置在所述支撑框架的所述第二表面和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括使所述连接区域暴露的第二开口；以及重新分布层，通过所述第二开口连接到所述连接区域。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层的所述外周区域设置在所述绝缘层和所述第二绝缘膜之间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层的所述外周区域具有至少5μm的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层具有等于1μm或更小的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层包括钛和钨中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积，并且所述第二开口使所述导电防裂层的所述外周区域部分地暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括种子层和设置在所述种子层上的镀层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层利用与所述种子层的材料相同的材料形成。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层和所述种子层是钛/钨层或钛/铜层。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一绝缘膜包括氧化物和氮化物中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二绝缘膜包括有机绝缘材料。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二绝缘膜包括非感光介电材料，并且所述绝缘层包括感光介电材料。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述连接构件包括设置在所述重新分布层上的附加绝缘层以及连接到所述重新分布层的附加重新分布层。

14.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述导电防裂层的宽度是所述导电防裂层的外边缘与所述第一开口之间沿穿过所述第一开口的中心和所述第二开口的中心的线测量的距离。