[发明专利]存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质在审
申请号: | 201910701427.7 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110459259A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 董智敏 | 申请(专利权)人: | 至誉科技(武汉)有限公司 |
主分类号: | G11C29/14 | 分类号: | G11C29/14;G11C29/12 |
代理公司: | 42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 沈林华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 430223湖北省武汉市武汉东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据页 写入数据 闪存块 数据块 对比结果 存储设备 纠错能力 报错 擦除 读取 缓存 测试 擦除数据 存储介质 写入操作 保存 检验 | ||
本发明提供了存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质,其中测试方法包括:挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块的数据页中写入数据;读取写入数据的闪存块的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;对被擦除的数据块的数据页进行再写入操作;对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,根据报错的数据位的数量大小与写入数据的数据位的数量大小进行对比得到第一对比结果,以及报错的数据块的地址、数据页的地址与写入数据的数据位对应的数据块的地址、数据页的地址进行对比得到第二对比结果,上述第一、二对比结果即为该存储设备的写错误纠错能力的测试结果。
技术领域
本发明涉及存储系统中的纠错能力测试技术,具体涉及一种存储设备写错误纠错能力的测试方法。
背景技术
闪存芯片是一种利用闪存技术达到存储电子信息的存储介质,由于其具有快速存入和断电后数据不消失等特征,并且具有体积较小、存储容量大等优优势,越来越多的存储设备选择使用闪存芯片作为存储介质。然而,闪存芯片由于其本身的物理特性,写进去的数据在读出来的时候会发生一定量的数据位的翻转错误,从而导致存储数据的准确性降低。为了减少或避免这类问题产生,在以闪存芯片作为存储介质的存储设备控制器上,就必须加上冗余纠错以及错误处理程序来保证存储数据的正确性。
在使用闪存技术的存储设备中,闪存的写入操作必须在目标区域处于空白状态即没有数据的条件下进行,如果目标区域已被写入数据,就必须先擦除后才能写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。其中闪存芯片是按块为单位擦除,按页为单位写读,一个块里包含多个页,并且每一个块在写入之前必须先擦除。为了保证数据的正确性,闪存控制器在写入数据的时候会根据数据生成冗余纠错码数据并把冗余纠错码数据一并写入到闪存页里,在从闪存页里读取数据的时候,冗余纠错码数据会一并读入闪存控制器里并进行冗余校验以及纠错,如果错误的位数超过了纠错算法的阈值,就会触发错误处理程序来做后续处理,否则就会返回正确数据给调用者。
目前闪存的错误处理能力渐渐成为评价整个基于闪存芯片的存储设备的可靠性的重要指标之一。然而现有技术中对存储设备中写错误纠错能力进行测试和评价的方法有待改进。
发明内容
本发明是为了解决上述还没有较为合适的方法来对存储设备中写错误纠错能力进行测试和评价的问题而进行的,目的在于提供一种存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质。
本发明主要针对这一问题,提出一种在研发期间人为插入一些预定义好的闪存的写错误,来检验存储设备本身处理错误的能力,以提高产品最终的可靠性。
本发明提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其特征在于,包括:
S0、挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块中的数据页中写入数据;
S1、读取写入数据的闪存块上的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;
S2、对被擦除数据的闪存块的数据页进行再写入操作;
S3、对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,根据报错的数据位的数量大小与所述步骤S0中写入数据的数据位的数量大小进行对比,得到第一对比结果,并将所述第一对比结果写入所述存储设备的写错误纠错能力的测试结果。
本发明提供的一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其还具有这样的特征,在所述步骤S2之后,还包括:
根据报错的数据块的地址、数据页的地址与所述步骤S0中写入数据的数据位对应的数据块的地址、数据页的地址进行对比,得到第二对比结果,并将所述第二对比结果写入所述存储设备的写错误纠错能力的测试结果。
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