[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有底部核心材料层，所述底部核心材料层上形成有多个分立的顶部核心层，相邻所述顶部核心层之间的区域作为凹槽，且所述凹槽包括适于形成阻挡结构的连接槽；

形成保形覆盖所述顶部核心层和底部核心材料层的第一侧墙膜；

在所述第一侧墙膜露出的剩余所述连接槽中形成阻挡结构，所述阻挡结构覆盖所述连接槽侧壁上的第一侧墙膜、以及所述连接槽底部的第一侧墙膜；

形成所述阻挡结构之后，以所述阻挡结构为掩膜，去除所述顶部核心层顶部以及所述底部核心材料层上的第一侧墙膜，保留位于所述顶部核心层侧壁上以及位于所述阻挡结构底部的剩余所述第一侧墙膜作为第一掩膜侧墙；

去除所述顶部核心层；

去除所述顶部核心层后，以所述第一掩膜侧墙和阻挡结构为掩膜，图形化所述底部核心材料层，形成底部核心层；

在所述底部核心层的侧壁上形成第二掩膜侧墙；

形成所述第二掩膜侧墙后，去除所述底部核心层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：去除所述底部核心层后，以所述第二掩膜侧墙为掩膜，图形化所述基底，形成凸出于剩余所述基底的目标图形。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述顶部核心层的材料为氧化硅，所述第一侧墙膜的材料为无定型硅或无定型碳，所述阻挡结构的材料为氮化硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述底部核心材料层的材料为无定型硅或无定型碳。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述凹槽的数量为多个，且所述多个凹槽具有不同宽度，所述连接槽的宽度小于剩余所述凹槽的宽度；

在所述第一侧墙膜露出的剩余所述连接槽中形成阻挡结构的步骤包括：形成保形覆盖所述第一侧墙膜的阻挡膜，所述阻挡膜填充于所述第一侧墙膜露出的剩余所述连接槽中；去除所述第一侧墙膜上的阻挡膜，保留所述连接槽中的剩余所述阻挡膜作为所述阻挡结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺，去除所述第一侧墙膜上的阻挡膜。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性的干法刻蚀工艺，去除所述顶部核心层顶部以及所述底部核心材料层上的第一侧墙膜。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺，形成所述第一侧墙膜。

9.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺，形成所述阻挡膜。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述底部核心层的侧壁上形成第二掩膜侧墙的步骤包括：形成保形覆盖所述底部核心层和基底的第二侧墙膜；

去除所述底部核心层顶部以及所述基底上的第二侧墙膜，保留所述底部核心层侧壁上的剩余第二侧墙膜作为所述第二掩膜侧墙。

11.如权利要求1或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述底部核心材料层上形成所述顶部核心层之前，还包括：在所述底部核心材料层上形成顶部刻蚀停止层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述顶部刻蚀停止层的材料为氮化硅。

13.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述连接槽宽度与两倍的所述第一侧墙膜厚度的差值小于或等于两倍的所述阻挡膜厚度。