[发明专利]一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，包括：基板、金属层、第一反射层、外延层、电极和高反射率复合膜，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和设于第一透明绝缘层与第二透明绝缘层之间的第二反射层；

所述电极设于外延层的上表面，第一反射层设于外延层的下表面且暴露出外延层下表面的外围区域以及与电极位置对应的区域，所述高反射率复合膜覆盖外延层下表面暴露出的区域，其中，所述第二透明绝缘层靠近所述外延层设置，所述金属层覆盖所述第一反射层的下表面和高反射率复合膜的下表面，所述基板设于所述金属层的下表面。

2.根据权利要求1所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，所述高反射率复合膜与所述第一反射层距离设置。

3.根据权利要求1所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，所述高反射率复合膜与所述第一反射层贴合设置。

4.根据权利要求1所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，所述外延层的外侧壁与所述第二反射层的外侧壁齐平。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，所述高反射率复合膜远离所述第一反射层的端部，其第一透明绝缘层和第二透明绝缘层贴合设置以包覆所述第二反射层。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，所述第一透明绝缘层和第二透明绝缘层的材质相同。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，电极的横向尺寸为D1，外延层下表面暴露出的与电极位置对应的区域，其横向尺寸为D2，D1×0.8≤D2≤D1×2。

8.根据权利要求7所述的具有高反射率复合膜的LED芯片，其特征在于，D1等于D2。

9.一种具有高反射率复合膜的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

于衬底上生长外延层；

于所述外延层背离衬底的一侧设置高反射率复合膜，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和设于第一透明绝缘层与第二透明绝缘层之间的第二反射层，所述第二透明绝缘层靠近所述外延层设置；

图形化所述高反射率复合膜至露出外延层，将所述高反射率复合膜分成位于所述外延层的外围区域的第一高反射率复合膜，以及与所述第一高反射率复合膜具有间隔的第二高反射率复合膜；

于所述第一高反射率复合膜和第二高反射率复合膜之间的外延层上设置第一反射层；

于所述第一高反射率复合膜背离外延层的一侧、第二高反射率复合膜背离外延层的一侧和所述第一反射层背离外延层的一侧设置金属层；

于所述金属层背离所述第一反射层的一侧设置基板；

去除衬底，在所述外延层背离所述高反射率复合膜的一侧设置电极，所述电极的位置与所述第二高反射率复合膜的位置对应。

10.根据权利要求9所述的具有高反射率复合膜的LED芯片的制作方法，其特征在于，于所述外延层背离衬底的一侧设置高反射率复合膜具体包括：

于所述外延层背离衬底的一侧设置第二透明绝缘层；

于所述第二透明绝缘层背离外延层的一侧设置第二反射层；

图形化所述第二反射层至露出所述第二透明绝缘层的外围区域；

于所述第二反射层背离所述第二透明绝缘层的一侧和所述第二透明绝缘层暴露出的外围区域分别设置第一透明绝缘层。