[发明专利]一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法，通过在外延层背离电极的一侧设置高反射率复合膜，且高反射率复合膜覆盖外延层外围区域以及与电极位置对应的区域，即未设置第一反射层的区域，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和第二反射层，一方面，设于第一反射层边缘与外延层边缘之间的高反射率复合膜可以起到对第一反射层进行保护的作用，有效防止第一反射层扩散和被腐蚀，提高芯片的可靠性；另一方面，高反射率复合膜和第一反射层配合，反射能够全面覆盖芯片，提高芯片整体的反射率；再一方面，与电极位置对应区域的高反射率复合膜还可以起到电流阻挡的作用，能够有效控制电流分布。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法。

背景技术

在LED研究领域，光效是人们不懈追求的目标。在芯片制作过程中，为了提高光提取效率，人们采用了各种各样的手段和方法，其中反射镜的设计是研究热点之一。现有的发光二极管制作，尤其在垂直结构芯片和倒装结构芯片制作中，业界普遍采用Ag或者Al作为反射镜。

但是由于Ag和Al这两种金属比较活泼，在制作过程或者工作过程中易被腐蚀和扩散，从而影响芯片的可靠性能。因此芯片设计时，往往将反射金属制作图形，并将反射镜包覆在芯片内部。这种设计提高了芯片的可靠性，但是由于反射镜无法全面覆盖芯片发光区，导致发光区边缘与反射镜边缘之间的区域反射率较低，使芯片整体反射率降低，影响了光提取效率。

另一方面，电流分布调控也是LED行业需要重点解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的为：提供一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法，既可以提高反射率，又能够确保芯片的可靠性，还可调控电流分布。

本发明采用的技术方案为：

一种具有高反射率复合膜的LED芯片，包括：基板、金属层、第一反射层、外延层、电极和高反射率复合膜，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和设于第一透明绝缘层与第二透明绝缘层之间的第二反射层；

所述电极设于外延层的上表面，第一反射层设于外延层的下表面且暴露出外延层下表面的外围区域以及与电极位置对应的区域，所述高反射率复合膜覆盖外延层下表面暴露出的区域，其中，所述第二透明绝缘层靠近所述外延层设置，所述金属层覆盖所述第一反射层的下表面和高反射率复合膜的下表面，所述基板设于所述金属层的下表面。

进一步的，所述高反射率复合膜与所述第一反射层距离设置。

进一步的，所述高反射率复合膜与所述第一反射层贴合设置。

进一步的，所述外延层的外侧壁与所述第二反射层的外侧壁齐平。

进一步的，所述高反射率复合膜远离所述第一反射层的端部，其第一透明绝缘层和第二透明绝缘层贴合设置以包覆所述第二反射层。

进一步的，所述第一透明绝缘层和第二透明绝缘层的材质相同。

进一步的，电极的横向尺寸为D1，外延层下表面暴露出的与电极位置对应的区域，其横向尺寸为D2，D1×0.8≤D2≤D1×2。

进一步的，D1等于D2。

本发明采用的另一个技术方案为：

一种具有高反射率复合膜的LED芯片的制作方法，包括：

于衬底上生长外延层；

于所述外延层背离衬底的一侧设置高反射率复合膜，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和设于第一透明绝缘层与第二透明绝缘层之间的第二反射层，所述第二透明绝缘层靠近所述外延层设置；