[发明专利]存储元件测试电路及存储元件测试方法在审
| 申请号： | 201910703354.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309482A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林盛霖;林士杰 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 测试 电路 方法 | ||
1.一种存储元件测试电路，用来测试一存储元件，包括：
一储存电路，用来储存一测试数据；
一比较电路，耦接该储存电路；
一控制电路，耦接该储存电路、该比较电路及该存储元件，该控制电路用来执行以下步骤以测试该存储元件：
(A)将该测试数据写入该存储元件；
(B)控制该存储元件进入一低功耗模式；
(C)控制该存储元件进入一功能模式；以及
(D)控制该比较电路比较该存储元件的一输出数据与该测试数据。
2.根据权利要求1所述的存储元件测试电路，该控制电路还执行以下步骤：
(E)在控制该存储元件进入该低功耗模式之前禁能该存储元件；以及
(F)在控制该存储元件进入该功能模式之后致能该存储元件。
3.根据权利要求2所述的存储元件测试电路，其中，该储存电路还储存一设定值，该控制电路还执行以下步骤：
(G)在控制该存储元件进入该功能模式之后，根据该设定值等待一段时间才致能该存储元件，其中该设定值与该存储元件的种类及/或该低功耗模式的种类有关。
4.根据权利要求1所述的存储元件测试电路，其中，该控制电路还执行以下步骤：
(E)在控制该存储元件进入该低功耗模式之后等待一恢复信号；以及
(F)根据该恢复信号控制该存储元件进入该功能模式。
5.根据权利要求1所述的存储元件测试电路，其中，该控制电路还执行以下步骤：
(E)以该测试数据的一反相数据再次执行步骤(A)至步骤(D)。
6.一种存储元件测试方法，用来测试一存储元件，包括：
(A)将一测试数据写入该存储元件；
(B)控制该存储元件进入一低功耗模式；
(C)控制该存储元件进入一功能模式；以及
(D)比较该存储元件的一输出数据与该测试数据。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
(E)在控制该存储元件进入该低功耗模式之前禁能该存储元件；以及
(F)在控制该存储元件进入该功能模式之后致能该存储元件。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
(G)在控制该存储元件进入该功能模式之后，等待一段时间才致能该存储元件；
其中该段时间与该存储元件的种类及/或该低功耗模式的种类有关。
9.根据权利要求6所述的方法，还包括：
(E)在控制该存储元件进入该低功耗模式之后等待一恢复信号；以及
(F)根据该恢复信号控制该存储元件进入该功能模式。
10.根据权利要求6所述的方法，还包括：
(E)以该测试数据的一反相数据再次执行步骤(A)至步骤(D)。
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