[发明专利]一种系统级封装外壳的吸附方法在审
| 申请号： | 201910704333.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110444506A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王文涛;方华斌;王德信 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 266100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸嘴 吸附 产线 载带 系统级封装 通孔 凸起 吸孔 自动化设备 组装便利性 二次定位 工作效率 一次定位 吸附面 小器件 负压 下压 配合 制作 帮助 | ||
1.一种系统级封装外壳的吸附方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100，通过载带输送外壳，载带上的第一凸起与外壳的第一通孔配合在一起，进行一次定位；
S200，待载带输送到位后，吸嘴下压，使吸嘴上的第二凸起与外壳的第二通孔配合在一起，进行二次定位；此时，吸嘴上的吸孔对应外壳的吸附面；
S300，吸嘴产生负压，通过吸孔将外壳从载带中吸附出来。
2.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述吸嘴上的吸孔设置有多个，沿着外壳的吸附面延伸。
3.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述吸孔贯穿吸嘴的上下两端，在所述吸嘴的上端还设置有与吸孔相连的气管。
4.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述外壳的第一通孔和第二通孔位于吸附面的两侧。
5.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述吸孔的直径大小在0.5mm以下。
6.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述第一通孔位于外壳的其中一端位置；所述第一凸起位于料带中对应的位置。
7.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，在所述步骤S100之前，还包括将外壳摆放在载带中的步骤，所述外壳通过第一凸起与第一通孔的配合，完成对外壳的定位。
8.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述第一凸起的高度小于第一通孔的高度；所述第二凸起的高度小于第二通孔的高度。
9.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述第一凸起与第一通孔之间的公差在0.02-0.05mm之间；所述第二凸起与第二通孔之间的公差在0.02-0.05mm之间。
10.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述壳体的尺寸为9.5*4.5*0.61mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
