[发明专利]在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法

权利要求书

1.一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述LTCC基板包括基板上表面和正面台阶腔体，以及基板下表面和背面台阶腔体；所述正面台阶腔体包括正面腔体台阶面和正面腔体底部导体层；所述基板下表面具有BGA焊盘；所述背面台阶腔体包括背面腔体台阶面导体层和背面腔体底部导体层；所述封装盖板包括：封装板，封装板上表面两端的封装盖板上表面导体层，以及封装板下表面的封装盖板下表面导体层；所述在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，包括如下步骤：

步骤1，在所述背面台阶腔体内安装元器件；

步骤2，在所述背面台阶腔体上安装封装盖板；

步骤3，在所述封装盖板下表面导体层上制作BGA焊盘；

所述步骤3的方法为：采用激光在所述封装盖板下表面导体层上进行蚀刻，得到BGA焊盘；采用激光在所述封装盖板下表面导体层上进行蚀刻时，以所述基板下表面具有的BGA焊盘为对位基准。

2.根据权利要求1所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述步骤1的方法为：在所述背面腔体底部导体层上，以粘接、钎焊工艺、金丝/金带键合或激光缝焊的方式，将元器件安装在背面腔体底部导体层上的元器件焊盘上。

3.根据权利要求1所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述步骤2的方法为：将封装盖板上表面导体层焊接在背面腔体台阶面导体层上。

4.根据权利要求3所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述步骤2的方法为：采用钎焊工艺将封装盖板上表面导体层焊接在背面腔体台阶面导体层上。

5.根据权利要求4所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述步骤2的方法为：采用金锡共晶焊片，将封装盖板上表面导体层焊接在背面腔体台阶面导体层上；其中，焊接工艺温度为300±2℃，焊接时间为5±1秒。

6.根据权利要求3～5任一项所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述封装盖板上表面导体层和背面腔体台阶面导体层之间的焊接工艺温度高于BGA焊盘装配时焊球的焊接工艺温度。

7.根据权利要求3～5任一项所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述封装板的材料为陶瓷片。

8.根据权利要求7所述的在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，其特征在于，所述封装板的厚度为0.2～1mm。