[发明专利]在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法

说明书

本发明公开了一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，包括如下步骤：步骤1，在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体内安装元器件；步骤2，在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体上安装封装盖板；步骤3，在封装盖板上的封装盖板下表面导体层上制作BGA焊盘。本发明在LTCC基板的背面台阶腔体内安装元器件，并采用封装盖板封装后，在封装盖板上制作BGA焊盘，制作的BGA焊盘尺寸精度优于±5μm，位置精度优于±20μm，焊盘之间无需制作阻焊层，良好的支撑了具有双面腔体结构高密度陶瓷封装的高可靠BGA互联。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电路基板技术领域，尤其是在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法。

背景技术

以LTCC(低温共烧陶瓷)为典型代表的多层陶瓷电路基板，以其优异的高频性能、高的集成密度和高的可靠性，在机载、弹载、星载等电子信息装备平台获得广泛应用。随着小型化、多功能的不断发展，多层陶瓷电路基板的应用正从传统的混合集成向SIP多功能封装转变，基板需要制作双面腔体以容纳更多的功能芯片，封装后的信号互联更多的采用BGA方式，这就需要基板的腔体封装以后，能够在封装盖板上制作一部分尺寸精准的BGA焊盘，并且和基板自身的BGA焊盘精确对位，装配后为高密度BGA互联提供结构支撑，提高互联强度和可靠性。

由于近些年来产品形态的转变，多层陶瓷电路基板的BGA互联得到了越来越多的研究，专利“基于高频传输的LTCC与PCB间垂直互联结构与方法”中描述了一种通过BGA方式实现LTCC基板与PCB板高频传输的方法；专利“一种微波LTCC基板垂直互联结构”中描述了一种基于LTCC的垂直互联结构，并用BGA实现互联；专利“基于改进型BGA的高频垂直互联电路”中通过在BGA球周围引入焊环的方式优化高频传输特性和隔离特性；专利“一种用于元器件组装的PGA/BGA三维结构及其制作方法”中将BGA用于一种基于LTCC基板的T/R模块互联；专利“一种用于三维组件的垂直互联过渡结构”中描述了一种基于LTCC基板的BGA板间垂直互联方式，可良好实现Ku信号传输；专利“一种LTCC基板的BGA互联结构及实现方法”中利用后烧工艺提高BGA焊盘的制作精度；专利“一种用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘及制作方法”中提出了一种三维结构焊盘的制作方法，用于提高BGA焊接的强度；论文“BGA在微系统宽带射频互联中的应用”中基于LTCC基板，设计了0.5～20.0GHz范围内的高密度宽带数模混合信号BGA垂直传输方案。

虽然业内对多层陶瓷电路基板的BGA互联结构及焊盘制作已有较多研究，也取得了显著的技术进步，但这些BGA焊盘制作均是基于陶瓷电路基板自身的完整表面，且均需要在元器件装配前完成焊盘的制作，无法适用于具有双面腔体结构的多层陶瓷电路基板，在腔体封装以后的盖板上制作高精度BGA焊盘。因此，急需通过开发新的工艺方法，实现在封装盖板上制作高精度BGA焊盘，支撑具有双面腔结构高密度陶瓷封装的高可靠BGA互联。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法。

本发明采用的技术方案如下：

一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，所述LTCC基板包括基板上表面和正面台阶腔体，以及基板下表面和背面台阶腔体；所述正面台阶腔体包括正面腔体台阶面和正面腔体底部导体层；所述基板下表面具有BGA焊盘；所述背面台阶腔体包括背面腔体台阶面导体层和背面腔体底部导体层；所述封装盖板包括：封装板，封装板上表面两端的封装盖板上表面导体层，以及封装板下表面的封装盖板下表面导体层；所述在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法，包括如下步骤：

步骤1，在所述背面台阶腔体内安装元器件；

步骤2，在所述背面台阶腔体上安装封装盖板；

步骤3，在所述封装盖板下表面导体层上制作BGA焊盘。