[发明专利]L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器

权利要求书

1.一种L形台阶状字线结构，其特征在于，包括：

多个L形字线单元，每个L形字线单元长边一侧沿着第二方向(y方向)延伸且近邻一栅线缝隙，短边一侧沿着第一方向(x方向)延伸且短边包含一字线引出端；

其中，所述字线引出端形成于一台阶状的叠层结构，该叠层结构包含多个由绝缘材料形成的叠层对，通过在每个叠层对中的其中一个叠层靠近栅线缝隙的区域作为替换金属区域，该替换金属区域包含位于表面的短边区域表面金属层和位于内部的短边区域内部金属层，在第一方向上，短边区域表面金属层的长度大于短边区域内部金属层的长度，所述字线引出端对应该短边区域表面金属层；所述字线引出端用于连接逻辑控制电路的连接孔焊点，位于短边区域表面金属层中距离栅线缝隙的距离为大于所述短边区域内部金属层长度的位置。

2.根据权利要求1所述的L形台阶状字线结构，其特征在于，所述替换金属区域还包含位于表面的长边区域表面金属层和位于内部的长边区域内部金属层，在第二方向上，长边区域表面金属层的长度与长边区域内部金属层的长度相等。

3.根据权利要求1所述的L形台阶状字线结构，其特征在于，多个L形字线单元沿着第一方向依次连接并呈台阶状分布。

4.根据权利要求1所述的L形台阶状字线结构，其特征在于，多个L形字线单元沿着第三方向层叠并且沿着第二方向呈台阶状分布。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的L形台阶状字线结构，其特征在于，所述多个L形字线单元为至少一对L形字线单元，成对的两个L形字线单元通过栅线缝隙隔开并呈错位镜像分布，错位相差一个台阶的高度，所述一个台阶的高度等于一个叠层对的高度，错位的方向沿着第三方向(z方向)，第三方向与第一方向及第二方向均垂直。

6.根据权利要求1所述的L形台阶状字线结构，其特征在于，还包括：保护层，覆盖于多个L形字线单元之间及其各个字线单元上方，栅线缝隙贯穿保护层上表面。

7.根据权利要求1所述的L形台阶状字线结构，其特征在于，所述L形字线单元长边用于连接核心(core)区。

8.一种如权利要求1-7中任一种L形台阶状字线结构的制作方法，其特征在于，包括：

制作一台阶状的叠层结构，该叠层结构包含多个由绝缘材料形成的叠层对，每个叠层对作为一个台阶；

对所述叠层结构划分为多个区域，每个区域的叠层结构用于形成一个L形字线单元；

对每个区域的叠层结构的表层台阶末端进行处理，使得沿着第一方向，表层台阶末端的刻蚀速率高于位于其下方的结构的刻蚀速率；

对处理后的叠层结构进行刻蚀以形成一栅线缝隙，该栅线缝隙沿着第二方向延伸且刻蚀的深度方向垂直于叠层结构的表面；

基于所述栅线缝隙对于每个叠层对中的其中一个叠层靠近栅线缝隙的区域进行刻蚀掏空，沿着第一方向，表层台阶中的该其中一个叠层被刻蚀掉的区域对应的尺寸大于其正下方结构被刻蚀掉的区域对应的尺寸；

在掏空区域沉积金属材料，得到替换金属区域，该替换金属区域包含位于表面的短边区域表面金属层和位于内部的短边区域内部金属层，在第一方向上，短边区域表面金属层的长度大于短边区域内部金属层的长度，字线引出端对应该短边区域表面金属层；

从而形成多个L形字线单元，每个L形字线单元长边一侧沿着第二方向延伸且近邻一栅线缝隙，短边一侧沿着第一方向延伸且短边包含该字线引出端。

9.根据权利要求8所述的L形台阶状字线结构的制作方法，其特征在于，当叠层结构包含氧化硅和氮化硅的叠层对时，对每个区域的叠层结构的表层台阶末端进行处理的方式为：通过离子注入或选择沉积的方式提高表层台阶末端的氮化硅中的氮浓度。

10.根据权利要求8所述的L形台阶状字线结构的制作方法，其特征在于，在对处理后的叠层结构进行刻蚀以形成一栅线缝隙的步骤之前，还包括：形成保护层的步骤。