[发明专利]L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器

说明书

一种L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器，字线结构包括：多个L形字线单元，每个L形字线单元长边一侧沿着第二方向延伸且近邻一栅线缝隙，短边一侧沿着第一方向延伸且短边包含一字线引出端；其中，所述字线引出端形成于一台阶状的叠层结构，该叠层结构包含多个由绝缘材料形成的叠层对，通过在每个叠层对中的其中一个叠层靠近栅线缝隙的区域作为替换金属区域，该替换金属区域包含位于表面的短边区域表面金属层和位于内部的短边区域内部金属层，在第一方向上，短边区域表面金属层的长度大于短边区域内部金属层的长度，所述字线引出端对应该短边区域表面金属层。确保在刻蚀选择比不够高的情况下，即使刻蚀过度，也不发生字线短路的现象。

技术领域

本公开属于半导体存储器及集成技术领域，涉及一种L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器。

背景技术

三维NAND存储器技术是目前国家正在重点发展的技术。

三维NAND存储器面临未来集成难度增大的难题。128层及以上三维NAND存储器面临字线连接工艺难题，随着三维存储器层数增加，字线连接孔的刻蚀要求越来越高的选择比，否则连接孔刻蚀击穿字线引出端/焊点(pad)的几率会极大增加，从而造成字线间短路。同时三维存储器字线引出端(SS)的设计难度也逐渐增加。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器，以至少部分解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种L形台阶状字线结构，包括：多个L形字线单元，每个L形字线单元长边一侧沿着第二方向(y方向)延伸且近邻一栅线缝隙，短边一侧沿着第一方向(x方向)延伸且短边包含一字线引出端；其中，所述字线引出端形成于一台阶状的叠层结构，该叠层结构包含多个由绝缘材料形成的叠层对，通过在每个叠层对中的其中一个叠层靠近栅线缝隙的区域作为替换金属区域，该替换金属区域包含位于表面的短边区域表面金属层和位于内部的短边区域内部金属层，在第一方向上，短边区域表面金属层的长度大于短边区域内部金属层的长度，所述字线引出端对应该短边区域表面金属层。

在本公开的一些实施例中，字线引出端用于连接逻辑控制电路的连接孔焊点，位于短边区域表面金属层中距离栅线缝隙的距离为大于所述短边区域内部金属层长度的位置。

在本公开的一些实施例中，所述替换金属区域还包含位于表面的长边区域表面金属层和位于内部的长边区域内部金属层，在第二方向上，长边区域表面金属层的长度与长边区域内部金属层的长度相等。

在本公开的一些实施例中，多个L形字线单元沿着第一方向依次连接并呈台阶状分布。

在本公开的一些实施例中，多个L形字线单元沿着第三方向层叠并且沿着第二方向呈台阶状分布。

在本公开的一些实施例中，所述多个L形字线单元为至少一对L形字线单元，成对的两个L形字线单元通过栅线缝隙隔开并呈错位镜像分布，错位相差一个台阶的高度，所述一个台阶的高度等于一个叠层对的高度，错位的方向沿着第三方向(z方向)，第三方向与第一方向及第二方向均垂直。

在本公开的一些实施例中，L形台阶状字线结构，还包括：保护层，覆盖于多个L形字线单元之间及其各个字线单元上方，栅线缝隙贯穿保护层上表面。

在本公开的一些实施例中，所述L形字线单元长边用于连接核心(core)区。