[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，

所述肖特基二极管包括：

具有第一导电类型的外延层；

在所述外延层上具有多个第二导电类型的半导体区域，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；

所述多个第二导电类型的半导体区域包括：若干第一区域、以及以各第一区域为中心均匀围绕所述第一区域的预设数量的第二区域；

其中，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度，所述第一区域的深度与所述第二区域的深度相同，所述第一区域、所述第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同；

所述第一区域和所述第二区域分别与所述外延层形成所述肖特基二极管的PN结；

所述多个第二导电类型的半导体区域还包括多个第三区域，所述第三区域的宽度小于第一区域且大于所述第二区域的宽度。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

在所述肖特基二极管中，以各第一区域为中心均匀围绕有预设数量的第三区域，且所述第三区域与所述第一区域的距离大于所述第二区域与所述第一区域的距离；以及

以各第三区域为中心均匀围绕有预设数量的第二区域。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述第一区域形成欧姆接触的区域为正多边形，所述第二区域形成欧姆接触的区域为正多边形，且所述第一区域形成的欧姆接触区域的正多边形的边数大于等于4。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述第一区域基于第一电流开启，所述第二区域基于第二电流开启，所述第二电流大于所述第一电流。

5.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述第一区域形成欧姆接触的区域为正六边形，所述第二区域形成的欧姆接触区域为正六边形，且所述第一区域形成欧姆接触的区域的正六边形边长，大于所述第二区域形成的欧姆接触区域的正六边形边长。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述肖特基二极管还包括：

具有第一导电类型的衬底，所述衬底形成于所述外延层背离所述多个第二导电类型的半导体区域一侧的表面；

所述衬底的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述肖特基二极管，其特征在于，

所述肖特基二极管还包括：

第一电极，所述第一电极设置于所述外延层形成所述多个第二导电类型的半导体区域的表面，且所述第一电极接触所述第一区域、第二区域；

第二电极，所述第二电极设置于所述外延层形成所述多个第二导电类型的半导体区域的表面，所述第二电极覆盖所述外延层。

8.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

9.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，

所述方法包括：

形成具有第一导电类型的外延层；

在所述外延层上形成具有第二导电类型的半导体区域，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；

所述第二导电类型的半导体区域包括：若干第一区域，以及以各第一区域为中心均匀围绕的预设数量的第二区域；

其中，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度，所述第一区域的深度与所述第二区域的深度相同，所述第一区域、所述第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同；

所述第一区域和所述第二区域分别与所述外延层形成所述肖特基二极管的PN结；

所述多个第二导电类型的半导体区域还包括多个第三区域，所述第三区域的宽度小于第一区域且大于所述第二区域的宽度。