[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法

说明书

本申请实施例提供了一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括：具有第一导电类型的外延层。在外延层上具有多个第二导电类型的半导体区域，第一导电类型与第二导电类型不同。多个第二导电类型的半导体区域包括：若干第一区域、以及以各第一区域为中心均匀围绕的预设数量的第二区域。其中，第一区域的宽度大于第二区域的宽度，第一区域的深度与第二区域的深度相同，第一区域、第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同。第一区域和第二区域分别与外延层形成肖特基二极管的PN结。通过上述技术方案，可以在尽量保持或不影响正常电流导通模式下肖特基二极管的正常导通性能的情况下，增强器件的抗浪涌电流能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种肖特基二极管及其制造方法。

背景技术

肖特基二极管因其正向导通电压低、反向恢复时间小等优点被广泛应用。然而，肖特基二极管的抗浪涌能力较差，在出现浪涌电流的情况下，肖特基二极管可能会出现瞬时能量过高、温度升高等现象，导致肖特基二极管失效。

为解决上述问题，现有技术中的一种肖特基二极管，在该肖特基二极管的外延层中设置若干与外延层的导电性能不同的半导体区域，增加肖特基二极管的抗浪涌能力。半导体区域的宽度越宽，肖特基二极管的抗浪涌能力越强。然而，半导体区域的宽度越宽，使得肖特基二极管的正向导通电压越高、导通性能下降。

因此，亟需一种肖特基二极管可以维持导通性能的情况下，增强其抗浪涌能力。

发明内容

本申请实施例提供了一种肖特基二极管及其制造方法，旨在解决为增强肖特基二极管的抗浪涌能力而造成其正向导通电压升高即导通能力降低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种肖特基二极管，其包括：具有第一导电类型的外延层。在外延层上具有多个第二导电类型的半导体区域，第一导电类型与第二导电类型不同。多个第二导电类型的半导体区域包括：若干第一区域、以及以各第一区域为中心均匀围绕的预设数量的第二区域。其中，第一区域的宽度大于第二区域的宽度，第一区域的深度与第二区域的深度相同，第一区域、第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同。并且，第一区域和第二区域分别与外延层形成肖特基二极管的PN结。

在一种可能实现的方式中，多个第二导电类型的半导体区域还包括多个第三区域，第三区域的宽度小于第一区域的宽度且大于第二区域的宽度；在肖特基二极管中，以各第一区域为中心均匀围绕有预设数量的第三区域，且第三区域与第一区域的距离大于第二区域与第一区域的距离；以及以各第三区域为中心均匀围绕有预设数量的第二区域。

在一种可能实现的方式中，第一区域基于第一电流开启，第二区域基于第二电流开启，第二电流大于所述第一电流。

在一种可能实现的方式中，第一区域形成的第一欧姆接触区域为正多边形，第二区域形成的第二欧姆接触区域为正多边形，且第一区域形成的欧姆接触区域的正多边形的边数大于等于4。以及以各第一区域为中心均匀围绕相应数量的第二区域。

在一种可能实现的方式中，第一区域形成欧姆接触的区域为正六边形，第二区域形成的欧姆接触区域为正六边形。且第一区域形成欧姆接触的区域的正六边形边长，大于第二区域形成的欧姆接触的区域的正六边形边长。

在一种可能实现的方式中，肖特基二极管还包括：具有第一导电类型的衬底，衬底形成于外延层背离多个第二导电类型的半导体区域一侧的表面；衬底的掺杂浓度高于外延层的掺杂浓度。

在一种可能实现的方式中，肖特基二极管还包括：第一电极，第一电极设置于外延层形成多个第二导电类型的半导体区域的表面，且第一电极接触第一区域、第二区域；第二电极，第二电极设置至外延层形成多个第二导电类型的半导体区域的表面，第二电极覆盖外延层。

在一种可能实现的方式中，第一导电类型为N型，第二导电P型。