[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

体区，所述体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区的体积小于或等于所述第二掺杂区的体积；

所述第一掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与所述发射极区、所述漂移区及发射极金属接触；

所述第二掺杂区，位于所述发射极区与所述漂移区之间，且与所述发射极区、所述漂移区及栅极区接触；

所述发射极金属，位于所述发射极区与所述第一掺杂区上方，且与所述栅极区接触；

所述栅极区，位于所述发射极区、所述第二掺杂区及所述漂移区上方。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第一掺杂区中的第一类载流子的掺杂浓度大于所述第一掺杂区中的第二类载流子的掺杂浓度；

所述第二掺杂区中的第一类载流子的掺杂浓度大于第二掺杂区中所述第二类载流子的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第一掺杂区，用于当所述绝缘栅双极型晶体管导通时，促进所述第一类载流子运输至所述发射极金属；

所述第二掺杂区，用于当所述绝缘栅双极型晶体管导通时，促进所述第二掺杂区中的所述第一类载流子向第一掺杂区移动。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区包括：

掺杂浓度单一的单个掺杂区域；

或，

掺杂浓度不同的多个掺杂子区域。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二掺杂区包括：

掺杂浓度单一的单个掺杂区域；

或，

掺杂浓度不同的多个掺杂子区域。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第二掺杂区包括第一掺杂子区域和第二掺杂子区域，其中，所述第一掺杂子区域位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂子区域之间，所述第一掺杂子区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂子区域的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第一掺杂区的掺杂浓度与所述第一掺杂子区域的掺杂浓度的比值大于或等于10；

所述第一掺杂子区域的掺杂浓度与所述第二掺杂子区域的掺杂浓度的比值大于或等于10。

8.根据权利要求6或7所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第一掺杂子区域的掺杂浓度为1*10¹⁷cm^-3至1*10¹⁹cm^-3；

所述第二掺杂子区域的掺杂浓度为1*10¹⁶cm^-3至1*10¹⁸cm^-3。

9.根据权利要求1至7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第一掺杂区的掺杂浓度为1*10¹⁸cm^-3至1*10²⁰cm^-3。

10.一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的体区；其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区的体积小于或等于所述第二掺杂区的体积；

在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区上方形成发射极区，在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区下方形成漂移区；

在所述第一掺杂区和发射极区上方形成发射极金属，在所述发射极区、所述第二掺杂区、所述漂移区上方形成与所述发射极金属接触的栅极区。