[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在审

申请号：	201910709134.3	申请日：	2019-08-01
公开（公告）号：	CN112310207A	公开（公告）日：	2021-02-02
发明（设计）人：	刘利书;冯宇翔	申请（专利权）人：	广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
主分类号：	H01L29/739	分类号：	H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
代理公司：	北京派特恩知识产权代理有限公司 11270	代理人：	吴薇薇;张颖玲
地址：	528311 广东省佛山市***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
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【说明书】：

本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，绝缘栅双极型晶体管包括：体区，体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积；第一掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与发射极区、漂移区及发射极金属接触；第二掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与发射极区、漂移区及栅极区接触；发射极金属，位于发射极区与第一掺杂区上方，且与栅极区接触；栅极区，位于发射极区、第二掺杂区及漂移区上方。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，且驱动功率小而饱和压降低，被广泛应用到各个领域。

闩锁效应是影响绝缘栅双极型晶体管可靠性的重要原因之一。现有的绝缘栅双极型晶体管抗闩锁能力较差，降低了绝缘栅双极型晶体管的可靠性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。

本发明实施例的第一方面提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括：

体区，所述体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区的体积小于或等于所述第二掺杂区的体积；

所述第一掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与所述发射极区、所述漂移区及发射极金属接触；

所述第二掺杂区，位于所述发射极区与所述漂移区之间，且与所述发射极区、所述漂移区及栅极区接触；

所述发射极金属，位于所述发射极区与所述第一掺杂区上方，且与所述栅极区接触；

所述栅极区，位于所述发射极区、所述第二掺杂区及所述漂移区上方。

根据一种实施例，所述第一掺杂区中的第一类载流子的掺杂浓度大于所述第一掺杂区中的第二类载流子的掺杂浓度；所述第二掺杂区中的第一类载流子的掺杂浓度大于第二掺杂区中所述第二类载流子的掺杂浓度。

根据一种实施例，所述第一掺杂区，用于当所述绝缘栅双极型晶体管导通时，促进所述第一类载流子运输至所述发射极金属；

所述第二掺杂区，用于当所述绝缘栅双极型晶体管导通时，促进所述第二掺杂区中的所述第一类载流子向第一掺杂区移动。