[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储单元，具备开关元件及阻变元件；以及

第1电路，对所述存储单元施加第1电压，

保持对所述存储单元施加所述第1电压的状态施加第2电压而使所述存储单元为接通状态，

对接通状态的所述存储单元进行第1读出，产生第3电压，

对进行了所述第1读出的所述存储单元，写入第1数据，

对写入了所述第1数据的所述存储单元进行第2读出，产生第4电压，

基于所述第3电压、及所述第4电压，判定在所述第1读出时存储在所述存储单元的数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第2电压的施加时间比所述第1电压的施加时间短。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第1电路

产生基于所述第3电压的第1电流，

产生基于所述第4电压的第2电流，

通过对所述第1电流或所述第2电流加上第3电流，

来判定在所述第1读出时存储在所述存储单元的数据。

4.一种半导体存储装置，包括：

存储单元，具备开关元件及阻变元件；以及

第1电路，对所述存储单元施加第1电压进行第1读出，产生第2电压，保持对所述存储单元施加所述第1电压的状态施加第3电压进行第2读出，产生第4电压，

基于所述第2电压、及所述第4电压，判定所述存储单元的接通状态，在所述存储单元为接通状态的情况下，

对接通状态的所述存储单元进行第3读出，产生第5电压，

对进行了所述第3读出的所述存储单元，写入第1数据，

对写入了所述第1数据的所述存储单元进行第4读出，产生第6电压，

基于所述第5电压、及所述第6电压，判定在所述第3读出时存储在所述存储单元的数据。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述第3电压的施加时间比所述第1电压的施加时间短。

6.根据权利要求4或5所述的半导体存储装置，其中

所述第1电路

产生基于所述第2电压的第1电流，

产生基于所述第4电压的第2电流，

通过对所述第1电流或所述第2电流加上第3电流来判定所述存储单元的接通状态，

产生基于所述第5电压的第4电流，

产生基于所述第6电压的第5电流，

通过对所述第4电流或所述第5电流加上第6电流，

来判定在所述第3读出时存储在所述存储单元的数据。

7.根据权利要求4或5所述的半导体存储装置，其中

所述第1电路

在判定为所述存储单元并非接通状态的情况下，

重复所述第1读出。

8.一种半导体存储装置，包括：

存储单元，具备开关元件及阻变元件；以及

第1电路，对所述存储单元供给第1电流，产生第1电压，

保持对所述存储单元供给所述第1电流的状态供给第2电流产生第2电压，

通过将所述第1电压及所述第2电压的大小进行比较，

来判定所述存储单元的接通状态，

在所述存储单元为接通状态的情况下，

对接通状态的所述存储单元进行第1读出，产生第3电压，

对进行了所述第1读出的所述存储单元，写入第1数据，

对写入了所述第1数据的所述存储单元进行第2读出，产生第4电压，

基于所述第3电压、及所述第4电压，判定在所述第1读出时存储在所述存储单元的数据。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述第2电流的供给时间比所述第1电流的供给时间短。