[发明专利]一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201910713671.5 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110359061B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张勇;刘志民;魏浩山;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C25B11/054 | 分类号： | C25B11/054;C25B11/077;C25B11/052;C25B1/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 胡智勇 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 良好 电催化 性能 氧化钼 纳米 薄膜 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用传统水热合成工艺，称取0.6-0.8g钼酸铵于烧杯中，然后只加入0.2-0.3mL30％过氧化氢或者同时加入0.2-0.3mL 30％过氧化氢和0.1-0.3mL无水乙醇，再加入去离子水至30mL，搅拌至全部溶解后，再将溶液置于聚四氟乙烯内胆中，向聚四氟乙烯内胆中放入2-4cm钼网，将聚四氟乙烯内胆放入金属反应釜中并拧紧，置于水热烘箱中水热反应在150-230℃下保温6-15h，最后用去离子水反复洗涤几次样品，并于60℃下保温1h烘干，得到外观为墨黑色的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列。
2.根据权利要求1所述的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法，其特征在于，前驱体钼酸铵浓度为0.01618-0.02158M/L。
3.根据权利要求1所述的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1中过氧化氢浓度为0.06526-0.09790M/L。
4.根据权利要求1所述的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法，其特征在于，水热反应的水热温度为170-210℃，水热反应时间为8-12h。
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