[发明专利]一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法

说明书

本发明公开了一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法，包括如下步骤：称取0.6‑0.8g钼酸铵于烧杯中，再加入0.2‑0.3mL 30％过氧化氢和0.1‑0.3mL无水乙醇，加入去离子水至30mL，搅拌至全部溶解后，再将溶液置于聚四氟乙烯内胆中，向聚四氟乙烯内胆中放入2‑4cm钼网，将聚四氟乙烯内胆放入金属反应釜中并拧紧，置于水热烘箱中水热反应在150‑230℃下保温6‑15h，最后用去离子水反复洗涤几次样品，并于60℃下保温1h烘干，得到外观为墨黑色的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列。本发明合成的产物具有较大的比较面积、更多的活性位点，克服了氧化性导电性差的缺点。

技术领域

本发明涉及一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法,同时分析其不同形貌特征产生的不同析氢特性。

背景技术

现如今能源越来越紧张，寻找一种绿色能源迫在眉睫，电解水制氢是一种高效且无污染的制氢方式，目前Pt/C电极材料运用较多，但是Pt因为价格昂贵含量稀少限制其应用。二氧化钼材料存在阻抗和析氢差的问题。本发明采用的测试方法不同于传统测试方法。传统采用的是电化学的方法来分析半导体催化材料的析氢特性，通过其过电势，起始点位和塔菲尔斜率来分析半导体材料的析氢能力，而其电流可能会受到电场，界面及其气氛及其半导体材料本身各种其他因素对实际产氢的影响。采用气相色谱及其高真空度下测量产氢的具体数值和电流及其电位之间的关系。

发明内容

本发明的目的在于提出在钼网基底上生长氧化钼纳米线和纳米片的的制备方法，利用简单的一步水热法制备(001)晶面的纳米线和纳米片薄膜阵列。主要解决问题在于改善目前二氧化钼材料阻抗和析氢差的问题。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法，包括如下步骤：

采用传统水热合成工艺，称取0.6-0.8g钼酸铵于烧杯中，再加入 0.2-0.3mL 30％过氧化氢和0.1-0.3mL无水乙醇，加入去离子水至30mL，搅拌至全部溶解后，再将溶液置于聚四氟乙烯内胆中，向聚四氟乙烯内胆中放入 2-4cm钼网，将聚四氟乙烯内胆放入金属反应釜中并拧紧，置于水热烘箱中水热反应在150-230℃下保温6-15h，最后用去离子水反复洗涤几次样品，并于 60℃下保温1h烘干，得到外观为墨黑色的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列。

优选地，前驱体钼酸铵浓度为0.01618-0.02158M/L。

优选地，所述步骤1中过氧化氢浓度为0.06526-0.09790M/L

优选地，水热反应的水热温度为170-210℃，反应时间为8-12h。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：