[发明专利]一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件及其拼接方法在审
申请号: | 201910717545.7 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN110459614A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 张金银;张彩霞;陈影;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李培<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 214028江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铝 导电线路 芯板 金属导电线路 封装材料层 芯板拼接 芯板层 拼接 柔性聚合物薄膜 密封绝缘材料 背接触电池 铝箔 导电介质 高透玻璃 焊缝焊接 精度要求 依次层叠 质量问题 背板层 背接触 玻璃层 对设备 隔离层 接线盒 宽幅面 连接点 片层 粘结 节约 生产 | ||
1.一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,其特征在于:包括由下至上依次层叠的第一玻璃层或背板层、第一封装材料层、拼接的金属导电线路芯板层,导电介质连接点层、密封绝缘材料隔离层、背接触电池片层、第二封装材料层、第二高透玻璃层或柔性聚合物薄膜层以及接线盒;
所述拼接的金属导电线路芯板层至少包括两片焊缝焊接或者粘结的铜铝箔。
2.根据权利要求1所述的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,其特征在于:所述背接触电池片层采用整片背接触电池;在每片铜铝箔上分别排列30或者36片所述整片背接触电池,所述整片背接触电池沿长边串联呈S形,且相邻铜铝箔上的S形电池串串联形成完整的组件。
3.根据权利要求2所述的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,其特征在于:所述两片铜铝箔之间采用焊带焊接或者采用导电胶带粘结拼接。
4.根据权利要求3所述的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,其特征在于:所述两个铜铝箔上的S形电池串之间通过焊带焊接或者导电胶带拼接。
5.根据权利要求4所述的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,其特征在于:所述焊带为铜带或镀锡铜带;所述导电胶带的基材为铜或镀锡铜,导电胶粘剂为丙烯酸。
6.一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件的拼接方法,其特征在于包括以下几个步骤:
S1)选取至少两片相同尺寸的窄幅铜铝箔并排放置,铜铝箔的铝箔面与EVA复合形成复合膜,之后采用激光刻蚀的方法在铜铝箔上刻蚀电路获得铜铝/EVA复合芯板;将其与聚合物背板复合,并根据电路设计的引出线位置,从背面对背板和EVA进行开孔,随后通过超声焊的方式在开孔位置的铝箔面覆铜,以便于引出线的焊接;
S2) 铜铝箔的拼接,其拼接方法为:采用焊带焊接,拼接时将焊带垂直于两块铜铝箔缝隙进行焊接,焊带的位置要避免与电池片放置位置重叠,位于电池片边缘外侧,焊带边缘与电池片边缘的距离为2-6mm;或
采用导电胶带粘贴拼接的方式,导电胶带要骑缝均匀的粘贴在两块铜铝箔上,完成铜铝箔的拼接得到拼接铜铝集成背板;
S3) 在步骤S2所形成的拼接铜铝集成背板上印刷或者沉积导电介质连接点,该导电介质连接点位置与背接触式太阳能电池背面的正负电极点相对应;
S4) 在步骤S3的基础上铺设密封绝缘隔离材料层,密封绝缘隔离材料上开设与步骤S3中的导电介质点相对应的通孔,然后将该开孔后的密封绝缘隔离材料铺设到步骤S3后的铜铝集成芯板上,所述导电介质连接点穿过密封绝缘隔离材料的孔洞与太阳电池电极相连接;
S5) 将背接触太阳能电池片放置在步骤S4所述的密封绝缘隔离材料表面上,并使得每一块太阳能电池的电极与所述通孔内的导电介质点形成良好接触,然后在所有太阳能电池上方依次铺设封装材料和第二高透玻璃层或柔性聚合物薄膜;
S6) 层压、接线盒安装完成组件制作。
7.根据权利要求6所述的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件的拼接方法,其特征在于:若采用焊带将两块或多块导电线路芯板焊接拼接,焊带采用铜带或焊锡铜带,长度为10-30mm,宽度为2-5mm,厚度为0.8-3.0mm。
8.根据权利要求7所述的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件的拼接方法,其特征在于:若采用导电胶带粘结,则导电胶带长度为50-150mm,宽度为5-15mm,厚度为1.5-3.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的