[发明专利]一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件及其拼接方法在审
申请号: | 201910717545.7 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN110459614A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 张金银;张彩霞;陈影;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李培<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 214028江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铝 导电线路 芯板 金属导电线路 封装材料层 芯板拼接 芯板层 拼接 柔性聚合物薄膜 密封绝缘材料 背接触电池 铝箔 导电介质 高透玻璃 焊缝焊接 精度要求 依次层叠 质量问题 背板层 背接触 玻璃层 对设备 隔离层 接线盒 宽幅面 连接点 片层 粘结 节约 生产 | ||
本发明公开一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,包括由下至上依次层叠的第一玻璃层或背板层、第一封装材料层、拼接的金属导电线路芯板层,导电介质连接点层、密封绝缘材料隔离层、背接触电池片层、第二封装材料层、第二高透玻璃层或柔性聚合物薄膜层以及接线盒;所述拼接的金属导电线路芯板层至少包括两片焊缝焊接或者粘结的铜铝箔。本发明所提供的本发明直接利用窄幅面铜铝导电线路芯板,对设备精度要求较低,可有效提高产量。通过将窄幅面铜铝芯板拼接成宽幅面导电线路芯板,可有效避免铜铝芯板生产造成的质量问题,并可加快大幅节约成本。
技术领域
本发明涉及一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,属于MWT太阳能电池组件加工技术领域。
背景技术
在太阳能电池的发展过程中,不断地涌现出新的组件技术。这些新技术的出现使得光伏组件的输出功率不断地上升到新的高度。背接触光伏组件技术就是其中一种竞争力较强、前景很广阔的技术。在背接触光伏组件技术中,其和常规组件技术之间最主要的区别在于:电池片的正负极都在电池的背面,并通过导电介质连接点层与金属导电线路芯板连接形成完整电路,避免了电池片焊接过程导致的焊接应力及不良。在该项技术中,金属导电线路芯板的设计与选材对组件的性能和成本等关键性能有着较大的影响。
在背接触光伏组件技术中,常用的金属导电线路芯板是铜箔和铜铝箔,它们具有较低的电阻率和良好的抗水透性,可以满足背接触光伏组件三十年的使用寿命。目前市场上主流的导电线路芯板是电解精炼纯铜芯板,它具有优异的导电性和良好的延展性,能够满足背接触光伏组件的使用需求,但是由于电解精炼纯铜的价格较高,对纯铜的依赖不利于组件功率成本的降低。铜铝箔的开发可以大幅度地降低组件成本,同时调节铜铝箔的厚度和铜铝的比例可以获得接近纯铜芯板的导电性。但是目前铜铝箔面临的主要问题是铜和铝的延展性差异较大,生产宽幅面的铜铝箔时,铜铝的分布均匀性较难控制,而控制窄幅面铜铝箔产品的质量则相对容易。
针对宽幅面铜铝箔质量改善困难的问题,本发明旨在采用拼接窄幅面铜铝箔的方式取代存在质量问题的宽幅面铜铝箔,以满足背接触光伏组件对铜铝导电线路芯板的使用要求。本发明利用焊带或导电胶带作为拼接材料。与直接生产利用大幅面铜铝芯板相比,拼接窄幅面铜铝箔在保证导电线路芯板和组件质量的同时,可有效地减少设备投入,节约生产成本。
发明内容
发明目的:针对现有技术中存在的问题与不足,本发明提供一种与直接生产利用大幅面铜铝芯板相比,在保证铜铝箔质量的同时,可有效地减少设备投入,节约生产成本的背接触铜铝导电线路芯板拼接组件。
技术方案:一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件,其特征在于:包括由下至上依次层叠的第一玻璃层或背板层、第一封装材料层、拼接的金属导电线路芯板层,导电介质连接点层、密封绝缘材料隔离层、背接触电池片层、第二封装材料层、第二高透玻璃层或柔性聚合物薄膜层以及接线盒;所述拼接的金属导电线路芯板层至少包括两片焊缝焊接或者粘结的铜铝箔。
本发明进一步限定的技术方案为:所述背接触电池片层采用整片背接触电池;在每片铜铝箔上分别排列30或者36片所述整片背接触电池,所述整片背接触电池沿长边串联呈S形,且相邻铜铝箔上的S形电池串串联形成完整的组件。
进一步的,所述两片铜铝箔之间采用焊带焊接或者采用导电胶带粘结拼接。
进一步的,所述两个铜铝箔上的S形电池串之间通过焊带焊接或者导电胶带拼接。
进一步的,所述焊带为铜带或镀锡铜带,导电胶带的基材为铜或镀锡铜,导电胶粘剂为丙烯酸。
本发明还涉及一种背接触铜铝导电线路芯板拼接组件的拼接方法,其特征在于包括以下几个步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏日托光伏科技股份有限公司,未经江苏日托光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910717545.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的