[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，提供一基板；

S2，在所述基板上沉积缓冲层；

S3，在所述缓冲层上形成薄膜晶体管；

其中，所形成的金属氧化物层的厚度为3000埃以上，且需要在300-800摄氏度的空气中退火0.5-2小时，得到结晶化的金属氧化物层，再经过刻蚀形成具有一定预设厚度的有源层沟道。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物、氧化锌、铟锌氧化物或是铟锡锌氧化物。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为背沟道刻蚀型薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制备方法包括如下步骤：

S10，提供一基板；

S20，在所述基板上用物理气相沉积法沉积第一层金属膜层，并通过光刻曝光工艺使金属层图案化，形成栅极；

S30，在所述栅极上沉积栅极绝缘层；

S40，在栅极绝缘层上通过控制金属氧化物的沉积时间，使得金属氧化物的膜层厚度达到3000埃以上；

S50，将步骤“S40”中得到的样品放置在300-800摄氏度的空气环境中，退火0.5-2小时，得到结晶化的金属氧化物层；

S60，在所述金属氧化物层上沉积第二金属膜层，并通过光刻曝光工艺使其图案化，得到源漏极层；

S70，在所述源漏极层上通过刻蚀工艺，刻蚀出具有一定预设厚度的有源层沟道；

S80，在所述有源层上沉积整面钝化保护层；

S90，刻蚀所述钝化保护层，形成接触孔，以得到结晶的金属氧化物薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层沟道的预设厚度为300埃-1000埃。

6.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤“S70”中的刻蚀为湿法刻蚀，步骤“S90”中的刻蚀为干法刻蚀。

7.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属层材料为钼、铜、铝、钛或掺杂多晶硅中的一种或多种材料的堆叠结构层。

8.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤“S10”中所述的基板为带有缓冲层的刚性基板、柔性基板或是硅基板。

9.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述接触孔分为第一接触孔和第二接触孔。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：上述权利要求8所述的基板，以及设置在所述基板上的氧化物薄膜，其中，所述氧化物薄膜有源层的厚度为3000埃以上，所述有源层沟道的厚度为300埃-1000埃。