[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板

说明书

一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板，该方法包括如下步骤：S1，提供一基板；S2，在所述基板上沉积遮光层；S3，在所述遮光层上沉积缓冲层；S4，在所述缓冲层上形成薄膜晶体管；其中，所形成的金属氧化物层的厚度为3000埃以上，且需要在300‑800摄氏度的空气中退火0.5‑2小时，得到结晶化的金属氧化物，其中，所述有源层沟道的厚度为300埃‑1000埃；有益效果：与现有技术相比，本申请提供的一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过控制金属氧化物层的沉积时间，以控制金属氧化物膜层的厚度，再将金属氧化物在高温环境下进行退火处理，得到迁移率和稳定性更高的结晶化金属氧化物半导体层，提升了薄膜晶体管、阵列基板的迁移率以及对水氧的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistor,MO TFT)尤其是铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管，由于具有良好的均一性、高迁移率、低漏电流、适合大面积工业制备等优点，广泛的应用到了平板显示行业中。但在现有的电子行业中，电子产品的长寿命要求薄膜晶体管对水氧的稳定性还有待提升，因此金属氧化物薄膜晶体管的性能需要更高。

因此，现有的金属氧化物薄膜晶体管技术，还存在着金属氧化物的迁移率、对外界水氧的稳定性不够以及与现有工艺设备的兼容性不够的问题，急需改进。

发明内容

本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板，用于提高现有技术中存在的金属氧化物的迁移率、对外界的水氧稳定性以及与现有工艺设备兼容性的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本申请提供的一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：

S1，提供一基板；

S2，在所述基板上沉积缓冲层；

S3，在所述缓冲层上形成薄膜晶体管；

其中，所形成的金属氧化物层的厚度为3000A以上，且需要在300-800摄氏度的空气中退火0.5-2小时，得到结晶化的金属氧化物层，再经过刻蚀形成具有一定预设厚度的有源层沟道。

根据本申请提供的一优选实施例，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物、氧化锌、铟锌氧化物或是铟锡锌氧化物。

根据本申请提供的一优选实施例，所述氧化物薄膜晶体管为背沟道刻蚀型薄膜晶体管。

根据本申请提供的一优选实施例，所述背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制备方法包括如下步骤：

S10，提供一基板；

S20，在所述基板上用物理气相沉积法沉积第一层金属膜层，并通过光刻曝光工艺使金属层图案化，形成栅极；

S30，在所述栅极上沉积栅极绝缘层；

S40，在栅极绝缘层上通过控制金属氧化物的沉积时间，使得金属氧化物的膜层厚度达到3000埃以上；

S50，将步骤“S40”得到的样品放置在300-800摄氏度的空气环境中，退火0.5-2小时，得到结晶化的金属氧化物层；

S60，在所述金属氧化物层上沉积第二金属膜层，并通过光刻曝光工艺使其图案化，得到源漏极层；

S70，在所述源漏极层上通过刻蚀工艺，刻蚀出具有一定预设厚度的有源层沟道；

S80，在所述有源层上沉积整面钝化保护层；

S90，刻蚀所述钝化保护层，形成接触孔，以得到结晶的金属氧化物薄膜晶体管。