[发明专利]半导体封装

说明书

本发明提供一种半导体封装，其包括重布层RDL结构、第一裸片、模制原料和互连结构。所述第一裸片安置于所述RDL结构上。所述模制原料安置于所述RDL结构上。所述互连结构将所述第一裸片电连接到所述RDL结构。

技术领域

本公开涉及一种半导体设备。特定来说，本公开涉及不使用引线接合的半导体设备。

背景技术

一些半导体设备封装可使用引线接合技术。举例来说，引线接合技术可用于半导体设备之间的电连接。然而，导电线的回路高度可妨碍半导体设备封装的小型化。此外，导电引线在制造半导体设备封装期间易受模流影响。此外，相对长引线可引起寄生电感或寄生效应，其在工作或操作频率增加时可引起相对大阻抗。相对大阻抗可不利地影响这些半导体设备封装的性能。需要封装具有改进的结构强度和可靠性。

发明内容

在一方面中，一种半导体封装包含重布层(RDL)结构、第一裸片、模制原料和互连结构。所述第一裸片安置于所述RDL结构上。所述模制原料安置于所述RDL结构上。所述互连结构将所述第一裸片电连接到所述RDL结构。

在一方面中，一种半导体封装包含RDL结构、第一裸片、第二裸片和互连结构。所述第一裸片安置于所述RDL结构上。所述第二裸片安置于所述第一裸片上。所述互连结构安置到第一裸片的侧部并且提供第一裸片、第二裸片和RDL结构之间的电连接。

在一方面中，一种用于制造半导体封装的方法包含提供重布层(RDL)结构；在RDL结构上提供第一裸片；形成在RDL结构上并且电连接到所述RDL结构的导电柱；通过第一模制原料包封第一裸片和导电柱；形成从导电柱延伸到第一裸片的导电端子的横向导电结构。

附图说明

图1A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

图1B是根据本公开的实施例的半导体封装的俯视图。

图2A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

图2B是根据本公开的实施例的半导体封装的俯视图。

图3A-3L说明根据本公开的实施例的制造设备封装的方法。

图4A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

图4B是根据本公开的实施例的半导体封装的俯视图。

图5A-5M说明根据本公开的实施例的制造半导体封装的方法。

图6A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

图6B是根据本公开的实施例的半导体封装的俯视图。

图7A-7P说明根据本公开的实施例的制造半导体封装的方法。

图8A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

图8B是根据本公开的实施例的半导体封装的俯视图。

图9A-9L说明根据本公开的实施例的制造半导体封装的方法。

图10A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

图10B是根据本公开的实施例的半导体封装的俯视图。

图11A是根据本公开的实施例的半导体封装的横截面图。

贯穿图式和详细描述使用共同参考编号来指示相同或相似元件。本公开的实施例将从结合附图进行的以下详细描述中变得更显而易见。

具体实施方式