[发明专利]一种电源自动切换电路

权利要求书

1.一种电源自动切换电路，其特征在于，包括主电源和备用电源，以及连接于所述主电源和所述备用电源的电压比较子电路和电压选择子电路，所述电压比较子电路用于比较所述主电源和所述备用电源的大小，并将比较结果输出至所述电压选择子电路，所述电压选择子电路根据所述比较结果接通所述主电源和所述备用电源中电压较大的电源通过其输出端输出；

所述电压选择子电路包括连接于所述主电源的第一开关管、连接于所述备用电源的第二开关管、连接于所述第一开关管的第一反相器和连接于所述第二开关管的第二反相器，所述第一反相器连接于所述第二反相器；所述第一开关管用于接通或截止所述主电源，所述第二开关管用于接通或截止所述备用电源；所述电压比较子电路包括连接于所述主电源的第一PMOS场效应管、与所述第一PMOS场效应管镜像连接并连接于所述备用电源的第二PMOS场效应管，连接于所述主电源的第三PMOS场效应管、与所述第三PMOS场效应管镜像连接并连接于所述备用电源的第四PMOS场效应管；

所述第一PMOS场效应管还连接有第五PMOS场效应管，所述第五PMOS场效应管镜像连接有第六PMOS场效应管，所述第六PMOS场效应管连接于所述第四PMOS场效应管，所述第五PMOS场效应管和所述第六PMOS场效应管连接于所述电压选择子电路的输出端；

所述第一PMOS场效应管还连接有第一NMOS场效应管，所述第一NMOS场效应管镜像连接有第二NMOS场效应管，所述第二NMOS场效应管连接于所述第五PMOS场效应管；所述第四PMOS场效应管还连接有第三NMOS场效应管，所述第三NMOS场效应管镜像连接有第四NMOS场效应管，所述第四NMOS场效应管连接于所述第六PMOS场效应管；

所述电压比较子电路还包括第七NMOS场效应管，所述第七NMOS场效应管的栅极连接于所述第三NMOS场效应管的漏极和栅极、所述第四NMOS场效应管的栅极和所述第四PMOS场效应管的漏极，所述第七NMOS场效应管漏极连接于所述主电源、源极接地；

所述第一PMOS场效应管的源极连接于所述主电源、漏极连接于第一NMOS场效应管的漏极和栅极、栅极连接于所述第二PMOS场效应管的栅极和漏极；

所述第二PMOS场效应管的源极连接于所述备用电源，漏极通过第一电阻接地；所述第三PMOS场效应管的源极连接于所述主电源，漏极通过第二电阻接地，栅极连接于漏极和所述第四PMOS场效应管的栅极；所述第一电阻的阻值等于所述第二电阻的阻值；

所述第四PMOS场效应管的源极连接于所述备用电源，漏极连接于所述第三NMOS场效应管的漏极和栅极；

所述第五PMOS场效应管的源极连接于所述电压选择子电路的输出端，栅极连接于漏极和所述第六PMOS场效应管的栅极，漏极连接于所述第二NMOS场效应管的漏极；

所述第六PMOS场效应管的源极连接于所述电压选择子电路的输出端，漏极连接于所述第四NMOS场效应管的漏极；

所述第一NMOS场效应管的栅极连接于所述第二NMOS场效应管的栅极，所述第一NMOS场效应管和所述第二NMOS场效应管的源极接地；

所述第三NMOS场效应管的栅极连接于所述第四NMOS场效应管的栅极，所述第三NMOS场效应管和所述第四NMOS场效应管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的电源自动切换电路，其特征在于，所述电压比较子电路还包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端连接于所述主电源、另一端连接于所述第一PMOS场效应管的源极和所述第七NMOS场效应管的漏极；所述第四电阻的一端连接于所述备用电源、另一端连接于所述第二PMOS场效应管的源极和第四PMOS场效应管的源极。