[发明专利]一种电源自动切换电路有效
申请号: | 201910719435.4 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110518687B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 黄存华 | 申请(专利权)人: | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
主分类号: | H02J9/00 | 分类号: | H02J9/00;H02J9/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 自动 切换 电路 | ||
本发明公开了一种电源自动切换电路,涉及集成电路技术领域。该电源自动切换电路包括主电源和备用电源,以及连接于所述主电源和所述备用电源的电压比较子电路和电压选择子电路,所述电压比较子电路用于比较所述主电源和所述备用电源的大小,并将比较结果输出至所述电压选择子电路,所述电压选择子电路根据所述比较结果接通所述主电源和所述备用电源中电压较大的电源通过其输出端输出。本发明技术方案电路结构简单,无需外部输入任何判断信号,即可自动判断并选择较高的电源输出。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种电源自动切换电路。
背景技术
目前低功耗系统应用中,为了降低功耗,一般会选择主电源和备用电源结合的供电方式。当系统在高性能模式工作时,使用主电源对系统进行供电;当系统在低功耗模式工作或者主电源被移除时,选择备用电源对系统进行供电;且备用电源的电压一般低于主电源电压,因此也可以进一步降低功耗。但是,现有技术在高低电源变化时,无法自动切换。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电源自动切换电路,旨在高低电源变化时,可自动切换电源供电。
为实现上述目的,本发明提供一种电源自动切换电路,包括主电源和备用电源,以及连接于所述主电源和所述备用电源的电压比较子电路和电压选择子电路,所述电压比较子电路用于比较所述主电源和所述备用电源的大小,并将比较结果输出至所述电压选择子电路,所述电压选择子电路根据所述比较结果接通所述主电源和所述备用电源中电压较大的电源通过其输出端输出;
所述电压选择子电路包括连接于所述主电源的第一开关管、连接于所述备用电源的第二开关管、连接于所述第一开关管的第一反相器和连接于所述第二开关管的第二反相器,所述第一反相器连接于所述第二反相器;所述第一开关管用于接通或截止所述主电源,所述第二开关管用于接通或截止所述备用电源。
优选地,所述电压比较子电路包括连接于所述主电源的第一PMOS场效应管、与所述第一PMOS场效应管镜像连接并连接于所述备用电源的第二PMOS场效应管,连接于所述主电源的第三PMOS场效应管、与所述第三PMOS场效应管镜像连接并连接于所述备用电源的第四PMOS场效应管;
所述第一PMOS场效应管还连接有第五PMOS场效应管,所述第五PMOS场效应管镜像连接有第六PMOS场效应管,所述第六PMOS场效应管连接于所述第四PMOS场效应管,所述第五PMOS场效应管和所述第六PMOS场效应管连接于所述电压选择子电路的输出端;
所述第一PMOS场效应管还连接有第一NMOS场效应管,所述第一NMOS场效应管镜像连接有第二NMOS场效应管,所述第二NMOS场效应管连接于所述第五PMOS场效应管;所述第四PMOS场效应管还连接有第三NMOS场效应管,所述第三NMOS场效应管镜像连接有第四NMOS场效应管,所述第四NMOS场效应管连接于所述第六PMOS场效应管。
优选地,所述电压比较子电路还包括第七NMOS场效应管,所述第七NMOS场效应管的栅极连接于所述第三NMOS场效应管的漏极和栅极、所述第四NMOS场效应管的栅极和所述第四PMOS场效应管的漏极,所述第七NMOS场效应管漏极连接于所述主电源、源极接地。
优选地,所述第一PMOS场效应管的源极连接于所述主电源、漏极连接于第一NMOS场效应管的漏极和栅极、栅极连接于所述第二PMOS场效应管的栅极和漏极;
所述第二PMOS场效应管的源极连接于所述备用电源,漏极通过第一电阻接地;所述第三PMOS场效应管的源极连接于所述主电源,漏极通过第二电阻接地,栅极连接于漏极和所述第四PMOS场效应管的栅极;所述第一电阻的阻值等于所述第二电阻的阻值;
所述第四PMOS场效应管的源极连接于所述备用电源,漏极连接于所述第三NMOS场效应管的漏极和栅极;
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