[发明专利]高频模块以及通信装置有效

专利信息
申请号: 201910720826.8 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110868233B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 中泽克也;上嶋孝纪;津田基嗣;竹松佑二;中川大;原田哲郎;武部正英;松本直也;祐森义明;佐俣充则;佐佐木丰;福田裕基 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H03F3/21;H03F3/193;H03F1/56;H03F1/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;王海奇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高频 模块 以及 通信 装置
【权利要求书】:

1.一种高频模块,具备:

高频部件;

连接电极,与所述高频部件连接;以及

安装基板,具有安装所述高频部件的主面,

所述安装基板具有:

基板主体部,由绝缘性材料形成;以及

导通孔导体,被配置在所述安装基板内,并在俯视所述安装基板的所述主面时为长条形状,

所述连接电极和所述导通孔导体在所述俯视时以至少一部分重复的状态连接,

在所述导通孔导体的内部配置有由所述绝缘性材料构成的绝缘部。

2.根据权利要求1所述的高频模块,其中,

所述高频部件是功率放大器、低噪声放大器以及与功率放大器的输出端电连接的滤波器中的至少一个。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块,其中,

在所述俯视时,所述绝缘部被配置在所述导通孔导体的长条方向上的中央区域。

4.根据权利要求1或2所述的高频模块,其中,

在所述俯视时,多个所述绝缘部在所述导通孔导体的长条方向被离散地配置。

5.根据权利要求1所述的高频模块,其中,

所述连接电极是在所述俯视时具有长条形状的第一凸块电极。

6.根据权利要求5所述的高频模块,其中,

所述第一凸块电极和所述导通孔导体在所述俯视时长条方向彼此对齐,且至少在所述第一凸块电极和所述导通孔导体的重复区域连接,该重复区域在所述俯视时在所述长条方向上比在所述长条形状的宽度方向上长。

7.根据权利要求5所述的高频模块,其中,

所述高频部件是功率放大器,

所述高频部件具有双极晶体管,所述双极晶体管具备基极端子、集电极端子以及发射极端子,所述双极晶体管使驱动电流从所述集电极端子流向所述发射极端子,

所述发射极端子经由所述第一凸块电极以及所述导通孔导体与接地连接。

8.根据权利要求7所述的高频模块,其中,

所述高频模块还具备与所述高频部件的主面连接的第二凸块电极,

所述第二凸块电极与所述基极端子以及所述集电极端子中的至少一个连接,

在所述俯视时,所述第一凸块电极的面积大于所述第二凸块电极的面积。

9.根据权利要求5所述的高频模块,其中,

所述高频部件是功率放大器,

所述高频部件具有场效应型晶体管,所述场效应型晶体管具有栅极端子、漏极端子以及源极端子,所述场效应型晶体管使驱动电流从所述漏极端子流向所述源极端子,

所述源极端子经由所述第一凸块电极以及所述导通孔导体与接地连接。

10.根据权利要求9所述的高频模块,其中,

所述高频模块还具备与所述高频部件的主面连接的第二凸块电极,

所述第二凸块电极与所述栅极端子以及所述漏极端子中的至少一个连接,

在所述俯视时,所述第一凸块电极的面积大于所述第二凸块电极的面积。

11.根据权利要求5至10中的任一项所述的高频模块,其中,

所述高频部件是由彼此级联连接的多个放大元件构成的功率放大器,

多个所述放大元件具备:

第一放大元件,被配置在多个所述放大元件的最后级;以及

第二放大元件,被配置在所述第一放大元件的前级,

所述第一凸块电极与所述第一放大元件连接。

12.根据权利要求5至10中的任一项所述的高频模块,其中,

所述第一凸块电极是以铜为主成分的柱状电极。

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