[发明专利]包括激光屏障图案的图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

基底，包括多个单元像素；

堆叠结构，位于基底上；以及

栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间，

其中，栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧、非晶硅或多晶硅，并且上栅格图案包括导电材料。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，下栅格图案具有1nm至20nm的厚度。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，上栅格图案包括第一上栅格图案和第二上栅格图案，第一上栅格图案和第二上栅格图案包括不同的材料。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其中，第一上栅格图案包括导电材料，并且第二上栅格图案包括低折射率材料。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中，第二上栅格图案的低折射率材料的折射率在1.0至1.3的范围内。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，栅格图案还包括在栅格图案的侧壁的下部中的凹的凹进。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其中，下栅格图案的两个侧壁之间的最短宽度小于上栅格图案的两个侧壁之间的最短宽度。

8.如权利要求6所述的图像传感器，其中，上栅格图案的底表面通过凹进部分地暴露。

9.如权利要求1所述的图像传感器，其中，堆叠结构包括：

第一绝缘层，与基底接触，第一绝缘层包括氧化铝；

抗反射层，位于第一绝缘层上；以及

第二绝缘层，位于抗反射层上并且包括氧化硅。

10.如权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于第二绝缘层和栅格图案上的保护层。

11.如权利要求10所述的图像传感器，其中，保护层包括氧化铝。

12.如权利要求10所述的图像传感器，其中，保护层的厚度大于或等于下栅格图案的厚度。

13.如权利要求10所述的图像传感器，其中，上栅格图案在其平面图中包括与下栅格图案叠置的中心部分和从中心部分的两侧延伸的悬突部。

14.如权利要求13所述的图像传感器，其中，保护层与悬突部的底表面接触。

15.如权利要求13所述的图像传感器，其中，下栅格图案通过HCl溶液、稀硫酸过氧化物溶液和NH₄OH溶液中的一种来湿蚀刻。

16.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

基底，包括在像素区域和与像素区域相邻的光学黑色区域中的光电二极管；以及

光学黑色图案，位于光学黑色区域中，

其中，光学黑色图案的侧壁的下端分别具有凹的凹进。

17.如权利要求16所述的图像传感器，其中，光学黑色图案包括下黑色图案，下黑色图案包括氧化镧、非晶硅和多晶硅中的至少一种。

18.如权利要求16所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

垫区域，位于光学黑色区域的外部；

通路插塞，设置在垫区域中并延伸穿过基底；以及

堆叠结构，位于像素区域、光学黑色区域和垫区域之上。