[发明专利]包括激光屏障图案的图像传感器

说明书

提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括多个单元像素；堆叠结构，位于基底上；以及栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间。栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧(LaO)、非晶硅(a‑Si)或多晶硅(poly‑Si)，上栅格图案包括导电材料。

本申请要求于2018年10月10日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0120756号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

符合示例性实施例的设备和方法涉及包括激光屏障图案的图像传感器以及制造其的方法。

背景技术

图像传感器是被配置为通过利用半导体的对入射光起反应的性质来获取图像的装置。图像传感器可以包括光电转换单元和逻辑电路单元，光电转换单元被配置为将入射光转换成电信号，逻辑电路单元被配置为处理电信号以生成数据。图像传感器可以通过利用改变入射在光电转换单元的外部区域上的光的路径的微透镜阵列来改善其光学灵敏度，使得光聚集在光电转换单元上。

随着半导体器件变得高度集成，图像传感器也会高度集成。结果，会减小单个像素的尺寸。

发明内容

发明构思的示例实施例针对提供一种具有改善的灵敏度的图像传感器。

此外，发明构思的示例实施例针对一种制造具有改善的灵敏度的图像传感器的方法。

根据一些示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括多个单元像素；堆叠结构，位于基底上；以及栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间。栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧(LaO)、非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)，上栅格图案包括导电材料。

根据一些示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括在像素区域和与像素区域相邻的光学黑色区域中的光电二极管；以及光学黑色图案，位于光学黑色区域中。凹的凹进分别位于光学黑色图案的侧壁的下端中。

附图说明

图1是示意性地示出根据发明构思的一些示例实施例的图像传感器的平面图。

图2是根据图1的一些示例实施例的沿线I-I'截取的垂直剖视图。

图3和图4是根据图1的一些示例实施例的沿线I-I'截取的垂直剖视图。

图5是根据图1的一些示例实施例的沿线II-II'截取的垂直剖视图。

图6至图15是根据图2的一些示例实施例的区域A的放大视图。

图16是根据图2的一些示例实施例的区域B的放大视图。

图17是根据图2的一些示例实施例的区域C的放大视图。

图18至图24是示出根据图1的一些示例实施例的制造具有沿线I-I'截取的剖面的图像传感器的方法的工艺剖视图。

具体实施方式

现在将参照其中示出了发明构思的示例实施例的附图来更充分地描述发明构思。贯穿本申请，同样的附图标记可以表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。注意的是，关于一个实施例描述的多个方面可以包含在不同的实施例中，尽管没有相对于其具体描述。即，可以以任何方式和/或结合对所有实施例和/或任何实施例的多个特征进行组合。

图1是示意性地示出根据发明构思的一些示例实施例的图像传感器的平面图。图2是根据图1的一些示例实施例的沿线I-I'截取的垂直剖视图。