[发明专利]半导体基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910724774.1 申请日: 2019-08-07
公开(公告)号: CN112349701A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/311
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供衬底,所述衬底包括功能区及测量区;

采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层,在所述测量区形成至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于90度。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述多边形为正多边形。

3.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述多边形为正八边形。

4.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述测量区设置在所述功能区的边缘。

5.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元矩阵排布。

6.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元彼此独立。

7.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,在所述测量区域形成所述测量单元的方法包括如下步骤:

提供掩膜板,所述掩膜板对应所述测量单元的区域具有多边形开口,所述多边形开口的内角大于90度;

在形成测量膜层的步骤中,测量膜层通过所述多边形开口沉积而形成所述测量单元。

8.一种半导体基板,其特征在于,包括功能区及测量区,所述功能区具有至少一功能膜层,所述测量区具有至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于90度。

9.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述多边形为正多边形。

10.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述多边形为正八边形。

11.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述测量区设置在所述功能区的边缘。

12.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元矩阵排布。

13.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元彼此独立。

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