[发明专利]半导体基板及其制备方法在审
申请号: | 201910724774.1 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN112349701A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/311 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供衬底,所述衬底包括功能区及测量区;
采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层,在所述测量区形成至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于90度。
2.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述多边形为正多边形。
3.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述多边形为正八边形。
4.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述测量区设置在所述功能区的边缘。
5.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元矩阵排布。
6.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元彼此独立。
7.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法,其特征在于,在所述测量区域形成所述测量单元的方法包括如下步骤:
提供掩膜板,所述掩膜板对应所述测量单元的区域具有多边形开口,所述多边形开口的内角大于90度;
在形成测量膜层的步骤中,测量膜层通过所述多边形开口沉积而形成所述测量单元。
8.一种半导体基板,其特征在于,包括功能区及测量区,所述功能区具有至少一功能膜层,所述测量区具有至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于90度。
9.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述多边形为正多边形。
10.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述多边形为正八边形。
11.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述测量区设置在所述功能区的边缘。
12.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元矩阵排布。
13.根据权利要求8所述的半导体基板,其特征在于,所述测量膜层被划分为多个测量单元,所述测量单元彼此独立。
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