[发明专利]半导体基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体基板及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区及测量区；采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层，在所述测量区形成至少一测量膜层，在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为多边形，所述多边形的内角大于90度。本发明在制备半导体基板的工艺中，在测量区域形成多边形的测量单元，该形状的测量单元的受力力矩小，不易脱落，不会成为缺陷源，从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率；同时，多边形的测量单元的应力分布相对更均匀，结构更加稳定。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体基板及其制备方法。

背景技术

在半导体基板的制程中，常常利用具有腐蚀性能的刻蚀液对具有绝缘膜的基板进行各种处理。例如，现有技术中公开一种通过SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxidemixture：硫酸-过氧化氢混合物)药液对半导体基板进行处理的方式。

在半导体基板的制程中，测量单元用于模拟阵列(Array)区域或者边缘(Periphery)区域的行为，可在其上进行测量及监测制程的关键尺寸，意义非常。

但是，测量单元可能会成为缺陷源，影响制程质量以及最终良率。故设计一种具有合理的测量单元的半导体基板是一条能规避缺陷产生的有效途径。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体基板及其制备方法，其能够避免测量单元脱落，提高制程质量以及半导体基板的最终良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体基板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区及测量区；采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层，在所述测量区形成至少一测量膜层，在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为多边形，所述多边形的内角大于90度。

进一步，所述多边形为正多边形。

进一步，所述多边形为正八边形。

进一步，所述测量区设置在所述功能区的边缘。

进一步，所述测量膜层被划分为多个测量单元，所述测量单元矩阵排布。

进一步，所述测量膜层被划分为多个测量单元，所述测量单元彼此独立。

进一步，在所述测量区域形成所述测量单元的方法包括如下步骤：提供掩膜板，所述掩膜板对应所述测量单元的区域具有多边形开口，所述多边形开口的内角大于90度；在形成测量膜层的步骤中，测量膜层通过所述多边形开口沉积而形成所述测量单元。

本发明还提供一种半导体基板，其包括功能区及测量区，所述功能区具有至少一功能膜层，所述测量区具有至少一测量膜层，在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为多边形，所述多边形的内角大于90度。

本发明的优点在于，在制备半导体基板的工艺中，在测量区域形成多边形的测量单元，该形状的测量单元的受力力矩小，不易脱落，不会成为缺陷源，从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率；同时，多边形的测量单元的应力分布相对更均匀，结构更加稳定。

附图说明

图1是本发明半导体基板的制备方法的一具体实施方式的步骤示意图；

图2A～图2C是本发明半导体基板的制备方法的一具体实施方式的工艺流程图，其中，图2A及图2C为俯视示意图，图2B为侧视示意图；

图3是本发明半导体基板的制备方法的另一具体实施方式的俯视示意图；

图4是半导体基板的测量单元的俯视结构示意图；