[发明专利]形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910725539.6 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110828573A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王圣璁;张家豪;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成半导体装置的方法，包括：
在一第一外延源极/漏极部件上形成一第一虚设源极/漏极接触物，以及在一第二外延源极/漏极部件上形成一第二虚设源极/漏极接触物，其中该第一虚设源极/漏极接触物和该第二虚设源极/漏极接触物形成于一层间介电层中，且该第一虚设源极/漏极接触物和该第二虚设源极/漏极接触物包含与该层间介电层的介电材料不同的介电材料；
移除该第一虚设源极/漏极接触物的一部分、该第二虚设源极/漏极接触物的一部分以及设置于该第一虚设源极/漏极接触物和该第二虚设源极/漏极接触物之间的该层间介电层的一部分，而形成一第一沟槽；
移除该第一虚设源极/漏极接触物的留下部分而形成一第二沟槽；以及
在该第一沟槽和该第二沟槽中形成一金属源极/漏极接触物。
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