[发明专利]形成半导体装置的方法

说明书

一种形成半导体装置的方法，此方法包括在第一外延源极/漏极部件上形成第一虚设源极/漏极接触物于层间介电层中，以及在第二外延源极/漏极部件上形成第二虚设源极/漏极接触物于层间介电层中。此方法还包括将第一虚设源极/漏极接触物的一部分、第二虚设源极/漏极接触物的一部分以及设置于第一虚设源极/漏极接触物和第二虚设源极/漏极接触物之间的层间介电层的一部分移除，以形成第一沟槽。此方法还包括将第一虚设源极/漏极接触物的留下部分移除以形成第二沟槽，并且在第一沟槽和第二沟槽中形成金属源极/漏极接触物。此方法中，第一虚设源极/漏极接触物和第二虚设源极/漏极接触物包含与层间介电层的介电材料不同的介电材料。

技术领域

本发明实施例内容涉及一种形成半导体装置的方法，特别涉及一种形成半导体装置的源极/漏极接触物的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了快速的成长。集成电路(IC)的材料与设计的技术发展已经创造了集成电路的多个时代，且各个时代具有相较于前一时代更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，功能密度(例如单位芯片面积的互连装置数量)已普遍地增加，同时伴随几何尺寸的缩小。这样的尺寸缩减的过程普遍地为提升生产效率与降低相关成本带来了益处。这样的尺寸缩减也增加了集成电路的加工和制造的复杂性。

举例而言，当部件尺寸持续地缩减，制造各种装置等级的接触物(device-levelcontacts)变得更具挑战性。在较小长度的尺寸下，装置等级的接触物的形成需可适应和/或扩大工艺窗口，以适用于后续制造步骤(例如，形成导通孔的图案化步骤)。虽然目前形成装置等级的接触物的方法上普遍来说是适当的，但它们并未完全地满足所有方面的需求。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种形成半导体装置的方法。此方法包括在第一外延源极/漏极部件上形成第一虚设源极/漏极接触物，以及在第二外延源极/漏极部件上形成第二虚设源极/漏极接触物。一些实施例中，第一虚设源极/漏极接触物和第二虚设源极/漏极接触物形成于层间介电层中。此方法亦包括移除第一虚设源极/漏极接触物的一部分、第二虚设源极/漏极接触物的一部分以及设置于第一虚设源极/漏极接触物和第二虚设源极/漏极接触物之间的层间介电层的一部分，而形成第一沟槽。此方法还包括移除第一虚设源极/漏极接触物的留下部分而形成第二沟槽。此方法还包括在第一沟槽和第二沟槽中形成一金属源极/漏极接触物。在一些实施例中，第一虚设源极/漏极接触物和第二虚设源极/漏极接触物包含与层间介电层的介电材料不同的介电材料。

本发明的一些实施例提供又一种形成半导体装置的方法。此方法包括对层间介电层进行蚀刻，以形成暴露出第一源极/漏极部件的第一沟槽和暴露出第二源极/漏极部件的第二沟槽。此方法亦包括在第一沟槽和第二沟槽中沉积介电材料，以分别形成第一介电部件和第二介电部件。此方法还包括以源极/漏极接触物置换第一介电部件和第二介电部件，其中源极/漏极接触物接触第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件。在一些实施例中，置换第一介电部件和第二介电部件的步骤包括：对部分的第一介电部件和第二介电部件以及设置于第一介电部件和第二介电部件之间的层间介电层的一部分进行蚀刻，以形成具有从第一介电部件跨越到第二介电部件的宽度的第三沟槽；对第一介电部件和第二介电部件的留下部分进行蚀刻，以形成暴露出第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件的第四沟槽；以及在第三沟槽和第四沟槽中沉积一导电材料。

本发明的一些实施例提供一种半导体装置，包括第一外延源极/漏极部件、邻近第一外延源极/漏极部件设置的第二外延源极/漏极部件、设置在第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件上方的层间介电层、设置在第二外延源极/漏极部件的上方并接触第二外延源极/漏极部件的介电部件、以及设置在第一外延源极/漏极部件的上方并接触第一外延源极/漏极部件的源极/漏极接触物，其中一部分的源极/漏极接触物延伸经过层间介电层以与介电部件接触。

附图说明