[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，

具备包括串联连接的磁阻效应元件以及开关元件的存储单元，

所述磁阻效应元件构成为，

根据在所述存储单元内沿第1方向流动电流的第1写入动作，从第1电阻状态变为比所述第1电阻状态低的第2电阻状态，

根据在所述存储单元内沿与所述第1方向相反的第2方向流动电流的第2写入动作，从所述第2电阻状态变为所述第1电阻状态，

所述开关元件，

具有与所述第1方向关联的第1保持电压，

具有与所述第2方向关联且比所述第1保持电压低的第2保持电压。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述开关元件包括：

第1电极件；

包含与所述第1电极件不同的物质的第2电极件；以及

所述第1电极件与所述第2电极件之间的开关件。

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，

在所述第1写入动作中施加于所述存储单元的第1写入电压的大小与在所述第2写入动作中施加于所述存储单元的第2写入电压的大小相等。

4.根据权利要求2所述的磁存储装置，

所述第1电极件以及所述第2电极件包含从碳即C、氮化碳即CN、氮化钨即WN以及氮化钛即TiN中选择的至少一种物质。

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述开关元件具有：

与所述第1方向关联的第1阈值电压；和

与所述第2方向关联的第2阈值电压。

6.根据权利要求5所述的磁存储装置，

所述第1阈值电压与所述第2阈值电压相等。

7.根据权利要求5所述的磁存储装置，

所述第1阈值电压与所述第2阈值电压相互不同。

8.根据权利要求5所述的磁存储装置，

所述第1阈值电压比在所述第1写入动作中施加于所述存储单元的第1写入电压的一半大，

所述第2阈值电压比在所述第2写入动作中施加于所述存储单元的第2写入电压的一半大。

9.根据权利要求2所述的磁存储装置，

所述开关件包含从碲即Te、硒即Se以及硫即S中选择的至少一种硫属元素。

10.根据权利要求9所述的磁存储装置，

所述开关件还包含从硼即B、铝即Al、镓即Ga、铟即In、碳即C、硅即Si、锗即Ge、锡即Sn、砷即As、磷即P、锑即Sb、钛即Ti以及铋即Bi中选择的至少一种元素。

11.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述磁阻效应元件包括：

第1铁磁性体；

第2铁磁性体；以及

所述第1铁磁性体与所述第2铁磁性体之间的非磁性体。

12.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述开关元件是两端子间开关元件。