[发明专利]磁存储装置

说明书

实施方式提供能够抑制数据的误写入的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置具备包括串联连接的磁阻效应元件以及开关元件的存储单元。上述磁阻效应元件构成为：根据在上述存储单元内沿第1方向流动电流的第1写入动作，从第1电阻状态变为比上述第1电阻状态低的第2电阻状态，根据在上述存储单元内沿与上述第1方向相反的第2方向流动电流的第2写入动作，从上述第2电阻状态变为上述第1电阻状态。上述开关元件具有与上述第1方向关联的第1保持电压，具有与上述第2方向关联且比上述第1保持电压低的第2保持电压。

本申请享受以日本专利申请2019－049553号(申请日：2019年3月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及磁存储装置。

背景技术

已知将磁阻效应元件用作了存储元件的磁存储装置(MRAM：MagnetoresistiveRandom Access Memory)。

发明内容

本发明要解决的技术课题在于提供能够抑制数据的误写入的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备包括串联连接的磁阻效应元件以及开关元件的存储单元。

上述磁阻效应元件构成为，根据在上述存储单元内沿第1方向流动电流的第1写入动作，从第1电阻状态变为比上述第1电阻状态低的第2电阻状态，根据在上述存储单元内沿与上述第1方向相反的第2方向流动电流的第2写入动作，从上述第2电阻状态变为上述第1电阻状态。上述开关元件具有与上述第1方向关联的第1保持电压，具有与上述第2方向关联且比上述第1保持电压低的第2保持电压。

附图说明

图1是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置的构成的框图。

图2是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的构成的电路图。

图3是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的构成的剖视图。

图4是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的构成的剖视图。

图5是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置的存储单元的构成的剖视图。

图6是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元的选择动作的示意图。

图7是用于说明第1实施方式涉及的磁存储装置中的写入动作以及读出动作与存储单元的电流－电压特性的关系的图表。

图8是用于说明比较例涉及的磁存储装置中的写入动作以及读出动作与存储单元的电流－电压特性的关系的图表。

标号说明

1磁存储装置；10存储单元阵列；11行选择电路；12列选择电路；13译码电路；14写入电路；15读出电路；16电压生成电路；17输入输出电路；18控制电路；20半导体基板；21、24、27导电体；22、23、25、26元件；31、33、35铁磁性体；32、34非磁性体；41、43电极件；42选择器件。

具体实施方式

以下，参照附图说明实施方式。此外，以下说明，对具有相同功能及构成的构成要素标注共通的参照标号。另外，在对具有共通的参照标号的多个构成要素进行区别的情况下，对该共通的参照标号标注后缀来区别。此外，在不需要对多个构成要素特别地进行区别的情况下，对该多个构成要素仅标注共通的参照标号，不标注后缀。在此，后缀不限于下标、上标，例如包括在参照标号的末尾添加的小写的字母、以及表达排列的索引等。

1.第1实施方式