[发明专利]半导体装置及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体装置，

具备：电压线和第1差动放大电路；

上述第1差动放大电路具有：

第1晶体管；

第2晶体管，栅极连接于上述第1晶体管的漏极，漏极连接于上述第1晶体管的栅极；

第3晶体管，源极连接于上述电压线，栅极和漏极彼此电连接；

第4晶体管，源极连接于上述电压线，栅极和漏极彼此电连接；

第5晶体管，和上述第3晶体管构成第1电流反射镜电路，并电连接至输出节点；以及

第6晶体管，与上述第3晶体管并联地连接于上述第1晶体管的上述漏极，和上述第5晶体管构成第2电流反射镜电路。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有：

第7晶体管，与上述第6晶体管串联地连接，用栅极接受第1输入信号；以及

第8晶体管，与上述第4晶体管并联地连接于上述第2晶体管的漏极。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有第9晶体管，该第9晶体管和上述第7晶体管构成差动对，在源极侧与上述第8晶体管串联地连接，用栅极接受参照信号。

4.如权利要求2所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有第9晶体管，该第9晶体管和上述第7晶体管构成差动对，在源极侧与上述第8晶体管串联地连接，用栅极接受相对于上述第1输入信号在逻辑上被反转的第2输入信号。

5.如权利要求3或4所述的半导体装置，

还具有连接在上述第6晶体管的源极上的电位调整电路。

6.如权利要求5所述的半导体装置，

上述电位调整电路具有第10晶体管，该第10晶体管与上述第7晶体管并联地连接于上述第6晶体管的源极，经由上述第6晶体管被二极管连接。

7.如权利要求4所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有第11晶体管，该第11晶体管和上述第4晶体管构成第3电流反射镜电路，和上述第8晶体管构成第4电流反射镜电路；

上述第1差动放大电路根据经由上述第5晶体管转送来的信号而生成第1输出信号，根据经由上述第11晶体管转送来的信号而生成相对于上述第1输出信号在逻辑上被反转的第2输出信号。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有：

第1输入晶体管，连接在上述第1晶体管的漏极上，用栅极接受第1输入信号；

第2输入晶体管，连接在上述第2晶体管的漏极上，用栅极接受参照信号；以及

可变电流电路，连接在上述第1输入晶体管的源极和上述第2输入晶体管的源极上，根据上述第1输入信号的极性使电流量变化。

9.如权利要求1所述的半导体装置，

还具备与上述第1差动放大电路极性反转的第2差动放大电路；

上述第1差动放大电路具有：

第1输入晶体管，连接在上述第1晶体管的漏极上，用栅极接受第1输入信号；以及

第2输入晶体管，连接在上述第2晶体管的漏极上，用栅极接受参照信号；

上述第2差动放大电路具有：

第12晶体管；

第13晶体管，栅极及漏极交叉耦合连接于上述第12晶体管；

第14晶体管，经由上述第12晶体管被二极管连接；

第15晶体管，经由上述第13晶体管被二极管连接；

第16晶体管，和上述第14晶体管构成第3电流反射镜电路；

第17晶体管，与上述第14晶体管并联地连接于上述第12晶体管的漏极，和上述第16晶体管构成第4电流反射镜电路；

第3输入晶体管，连接在上述第12晶体管的漏极上，用栅极接受上述第1输入信号；以及

第4输入晶体管，连接在上述第13晶体管的漏极上，用栅极接受上述参照信号。

10.一种存储器系统，其特征在于，

具备：

接收器，包括权利要求1～9中任一项所述的半导体装置；以及

半导体存储器，使用上述接收器而工作。