[发明专利]半导体装置及存储器系统

说明书

一实施方式提供一种能够使差动放大电路的动作高速化的半导体装置及存储器系统。根据一实施方式，提供一种具有第1差动放大电路的半导体装置。第1差动放大电路具有第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、第4晶体管、第5晶体管和第6晶体管。第2晶体管栅极及漏极侧连接于第1晶体管。第3晶体管经由第1晶体管或不经由第1晶体管而被二极管连接。第4晶体管经由第2晶体管或不经由第2晶体管而被二极管连接。第5晶体管和第3晶体管构成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第3晶体管并联地连接于第1晶体管的漏极侧。第6晶体管和第5晶体管构成第2电流反射镜电路。

本申请以日本专利申请2019－27851号(申请日：2019年2月19日)为基础主张优先权，这里包含其全部内容。

技术领域

本实施方式涉及半导体装置及存储器系统。

背景技术

在包括用构成差动对的一对晶体管分别接受输入信号及参照信号的差动放大电路的半导体装置中，使用电源电压将输入信号及参照信号的差放大而生成输出信号。此时，希望使差动放大电路的动作高速化。

发明内容

一实施方式提供一种能够使差动放大电路的动作高速化的半导体装置及存储器系统。

根据一实施方式，提供一种具有第1差动放大电路的半导体装置。第1差动放大电路具有第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、第4晶体管、第5晶体管和第6晶体管。第2晶体管栅极及漏极侧连接于第1晶体管。第3晶体管经由第1晶体管或不经由第1晶体管而被二极管连接。第4晶体管经由第2晶体管或不经由第2晶体管而被二极管连接。第5晶体管和第3晶体管构成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第3晶体管并联地连接于第1晶体管的漏极侧。第6晶体管和第5晶体管构成第2电流反射镜电路。

附图说明

图1是表示有关第1实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图2是表示有关第1实施方式的半导体装置的动作的波形图。

图3是表示有关第1实施方式的变形例的半导体装置的结构的电路图。

图4是表示有关第2实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图5是表示有关第2实施方式的半导体装置的动作的波形图。

图6是表示有关第3实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图7是表示有关第4实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图8是表示有关第5实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图9是表示有关第6实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图10是表示有关第7实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图11是表示有关第8实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图12是表示有关第9实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图13是表示有关第10实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图14是表示有关第11实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图15是表示有关第12实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图16是表示能够应用有关第1实施方式～第12实施方式及其变形例的半导体装置的存储器系统的结构的框图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明有关实施方式的半导体装置。另外，并不由该实施方式限定本发明。

(第1实施方式)