[发明专利]电子部件的制造方法及导体层的形成方法在审

专利信息
申请号: 201910729660.6 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN110828174A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 小野寺伸也;田村健寿;森田健;广田大辅;栗本哲;涩江成晃 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件 制造 方法 导体 形成
【权利要求书】:

1.一种电子部件的制造方法,其特征在于,

所述电子部件具备:

具有彼此邻接的主面、端面、及侧面的素体;和

遍及所述主面、所述端面、及所述侧面而配置的导体层,

所述制造方法包括:

准备芯片,该芯片具备所述素体,

准备夹具,该夹具具备具有台阶的一对面、及位于所述一对面之间的台阶面,

将含有导电性材料的膏体赋予所述夹具的所述台阶面,

使所述芯片以所述主面和所述台阶面相对并且所述端面和所述一对面中的一个面相对的方式接近所述夹具,将所述膏体遍及所述主面、所述端面、及所述侧面而赋予,

对在所述主面、所述端面、及所述侧面赋予的所述膏体进行处理,形成所述导体层。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

所述芯片还具备配置于所述端面的烧结金属层,

在将所述膏体遍及所述主面、所述端面、及所述侧面而赋予时,将所述膏体通过直接赋予所述烧结金属层而间接地赋予所述端面,并且将所述膏体直接赋予所述主面和所述侧面。

3.根据权利要求2所述的制造方法,其中,

在使所述芯片接近了所述夹具的状态下,在从与所述主面和所述端面平行的方向观察时,沿着所述台阶的高度方向的方向上的、从所述一对面中的所述一个面到所述烧结金属层的端缘的距离比所述台阶的高度方向上的所述台阶面的宽度小。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法,其中,

在将所述膏体遍及所述主面、所述端面、及所述侧面而赋予时,使所述芯片接近所述夹具直至所述芯片和所述台阶面抵接为止。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的制造方法,其中,

所述素体还具有与所述端面相对并且与所述主面及所述侧面邻接的另一端面,

所述电子部件还具备遍及所述主面、所述侧面、及所述另一端面而配置的另一导体层,

所述夹具还具有:与所述一对面相对并且具有另一台阶的另一对面、及位于所述另一对面之间的另一台阶面,

将所述膏体赋予所述夹具的所述另一台阶面,

使所述芯片以所述主面和所述另一台阶面相对并且所述另一端面和所述另一对面中的一个面相对的方式接近所述夹具,将所述膏体遍及所述主面、所述侧面、及所述另一端面而赋予,

对遍及所述主面、所述侧面、及所述另一端面而赋予的所述膏体进行处理,形成所述另一导体层。

6.根据权利要求5所述的制造方法,其中,

所述芯片还具备形成于所述另一端面的另一烧结金属层,

在将所述膏体遍及所述主面、所述侧面、及所述另一端面而赋予时,将所述膏体通过直接赋予所述另一烧结金属层而间接赋予所述另一端面,并且将所述膏体直接赋予所述主面和所述侧面。

7.根据权利要求6所述的制造方法,其中,

在使所述芯片接近了所述夹具的状态下,在从与所述主面和所述另一端面平行的方向观察时,沿着所述另一台阶的高度方向的方向上的、从所述另一对面中的所述一个面到所述另一烧结金属层的端缘的距离比所述另一台阶的所述高度方向上的所述另一台阶面的宽度小。

8.根据权利要求5~7中任一项所述的制造方法,其中,

在将所述膏体遍及所述主面、所述侧面、及所述另一端面而赋予时,使所述芯片接近所述夹具直至所述芯片和所述另一台阶面抵接为止。

9.根据权利要求5~8中任一项所述的制造方法,其中,

所述一对面中的所述一个面和所述另一对面中的所述一个面的间隔比所述端面和所述另一端面相对的方向上的所述芯片的长度大,

所述一对面中的另一面和所述另一对面中的另一面的间隔比所述芯片的所述长度小,

在将赋予所述台阶面的所述膏体赋予所述主面、所述端面、及所述侧面的同时,将赋予所述另一台阶面的所述膏体赋予所述主面、所述侧面、及所述另一端面。

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