[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体芯片；

第二半导体芯片，其位于所述第一半导体芯片上；

第一半导体结构和第二半导体结构，其位于所述第一半导体芯片上并且彼此间隔开，所述第二半导体芯片插入在所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间；以及

含树脂构件，其插入在所述第二半导体芯片和所述第一半导体结构之间，并插入在所述第二半导体芯片和所述第二半导体结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片的顶表面、所述第一半导体结构的顶表面、所述第二半导体结构的顶表面和所述含树脂构件的顶表面彼此共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

第三半导体结构，其将所述第一半导体结构的一端连接到所述第二半导体结构的一端；以及

第四半导体结构，其将所述第一半导体结构的另一端连接到所述第二半导体结构的另一端，

其中，所述第一半导体结构至所述第四半导体结构是一体的并且共同构成半导体裸晶，该半导体裸晶具有穿过该半导体裸晶的开口，以及

其中，所述第二半导体芯片设置在所述开口中。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述半导体裸晶包括：

半导体衬底；

多个电路部分，其位于所述半导体衬底上；以及

层间电介质层，其覆盖所述半导体衬底和所述电路部分，

其中，所述半导体裸晶电连接到所述第一半导体芯片。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观察时，所述开口的拐角是圆形或斜切的。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的第三半导体芯片，其中，

所述第一半导体芯片包括第一半导体衬底和位于所述第一半导体衬底上的多个第一层间电介质层，

所述第三半导体芯片包括第三半导体衬底和位于所述第三半导体衬底上的多个第三层间电介质层，

所述多个第一层间电介质层中最上面的一个第一层间电介质层与所述多个第三层间电介质层中最上面的一个第三层间电介质层接触。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观察时，所述第一半导体芯片的中心不与所述第二半导体芯片的中心重合。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述含树脂构件插入在所述第一半导体芯片和所述第一半导体结构之间，并且插入在所述第一半导体芯片和所述第二半导体结构之间。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述含树脂构件围绕所述第二半导体芯片延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片具有与所述第一半导体结构邻近的第一侧表面、与所述第二半导体结构邻近的第二侧表面、将所述第一侧表面的一端连接到所述第二侧表面的一端的第三侧表面、以及面向与所述第三侧表面面向的方向相反的方向的第四侧面，

所述半导体封装件还包括：

第三半导体结构，其与所述第三侧表面邻近；以及

第四半导体结构，其与所述第四侧表面邻近，

其中，所述第一半导体结构至所述第四半导体结构彼此间隔开。

11.一种半导体封装件，包括：

第一半导体芯片；

第二半导体芯片，其安装在所述第一半导体芯片上，并且在给定方向上的宽度小于所述第一半导体芯片的宽度；

半导体裸晶，其位于所述第一半导体芯片上，并包括容纳所述第二半导体芯片的开口；以及

含树脂构件，其插入在所述第二半导体芯片和所述半导体裸晶之间。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述半导体裸晶包括不包含任何电路的半导体衬底。