[发明专利]在数字线与一级存取装置之间包括二级存取装置的集成式存储器

权利要求书

1.一种集成式组合件，其包括：

一级存取晶体管，其具有第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区当所述一级存取晶体管处于接通模式中时彼此耦合，且当所述一级存取晶体管处于断开模式中时不彼此耦合；

电荷存储装置，其与所述第一源极/漏极区耦合；和

数字线，其通过二级存取装置与所述第二源极/漏极区耦合；所述二级存取装置具有接通模式和断开模式；仅当所述一级存取晶体管和所述二级存取装置两者处于其相应接通模式中时，所述数字线与所述电荷存储装置耦合。

2.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述二级存取装置是二级存取晶体管。

3.根据权利要求2所述的集成式组合件，其中：

所述一级存取晶体管具有在所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间水平延伸的第一沟道区；且

所述二级存取晶体管具有在第三源极/漏极区与第四源极/漏极区之间竖直延伸的第二沟道区。

4.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述电荷存储装置是电容器。

5.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述一级存取晶体管和所述电荷存储装置一起包括存储器单元，且其中所述存储器单元是DRAM阵列内的多个大体相同的存储器单元中的一个。

6.根据权利要求5所述的集成式组合件，其中所述数字线是沿着所述DRAM阵列的列延伸的多个数字线中的一个，且其中所述数字线中的至少一些延伸到共同感测放大器。

7.一种集成式组合件，其包括：

第一个一级存取晶体管和第二个一级存取晶体管；所述第一个一级存取晶体管包括靠近第一沟道区的第一栅极，且所述第二个一级存取晶体管包括靠近第二沟道区的第二栅极；所述第一个一级存取晶体管和第二个一级存取晶体管一起包括三个源极/漏极区；所述三个源极/漏极区是第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和第三源极/漏极区；所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区通过所述第一沟道区以选通方式彼此耦合；所述第二源极/漏极区与第三源极/漏极区通过所述第二沟道区以选通方式彼此耦合；

第一电荷存储装置，其与所述第一源极/漏极区耦合；

第二电荷存储装置，其与所述第三源极/漏极区耦合；

数字线，其通过互连件与所述第二源极/漏极区耦合；和

开关，其控制沿着所述互连件的电流流动。

8.根据权利要求7所述的集成式组合件，其中所述互连件包括一长度的半导体材料。

9.根据权利要求8所述的集成式组合件，其中所述开关控制沿着所述长度的所述半导体材料的电流流动。

10.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中所述开关是二级存取晶体管。

11.根据权利要求10所述的集成式组合件，其中所述二级存取晶体管包括与多路复用器驱动器电耦合的第三栅极。

12.根据权利要求7所述的集成式组合件，其中所述第一个一级存取晶体管和第二个一级存取晶体管与所述第一电荷存储装置和第二电荷存储装置包括存储器单元，且其中所述存储器单元是DRAM阵列内的多个大体相同的存储器单元中的两个。

13.根据权利要求12所述的集成式组合件，其中所述数字线是沿着所述DRAM阵列的列延伸的多个数字线中的一个，且其中所述数字线中的至少一些延伸到共同感测放大器。

14.根据权利要求7所述的集成式组合件，其中所述第一电荷存储装置和第二电荷存储装置分别是第一电容器和第二电容器。