[发明专利]大板扇出型双面天线封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种大板扇出型双面天线封装结构，其特征在于，包括：

载板，沿其厚度方向具有相对的第一面和第二面；

若干半导体芯片，若干所述半导体芯片的背面分别通过剥离层贴附于所述载板的第一面和第二面；

封装层，位于所述载板的第一面和第二面并覆盖所述半导体芯片，所述半导体芯片的正面外露于所述封装层；

传输层、布线层和天线层，位于所述封装层远离所述载板的一侧，所述传输层的一侧与所述封装层和所述半导体芯片的正面电性连接，另一侧与所述布线层和所述天线层电性连接，所述布线层具有焊盘区和非焊盘区；

阻焊层，位于所述封装层远离所述载板的一侧并覆盖所述天线层和所述布线层的非焊盘区的外部；

金属凸块，与所述布线层的非焊盘区焊接。

2.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构，其特征在于，所述半导体芯片包括裸芯片、位于所述裸芯片内的I/O端和凸设于所述裸芯片外并与所述I/O端电性连接的连接柱，所述连接柱远离所述裸芯片的一端平行于所述封装层的表面并与所述传输层连接。

3.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构，其特征在于，所述传输层包括贴于所述封装层上的介电层和附着于所述介电层上的种子层，所述介电层沿其厚度方向具有使所述半导体芯片的连接柱外露的过孔，所述种子层延伸至所述过孔内与所述连接柱电性连接。

4.根据权利要求3所述的大板扇出型双面天线封装结构，其特征在于，所述种子层包括位于所述封装层远离所述载板一侧的钛金属层和位于所述钛金属层上的铜金属层。

5.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构，其特征在于，所述天线层的厚度小于所述布线层的厚度。

6.一种大板扇出型双面天线封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供载板和若干半导体芯片，分别采用封装层将部分所述半导体芯片封装在所述载板的第一侧面以及将剩余所述半导体芯片封装在所述载板的第二侧面，并使所述半导体芯片的正面朝向背离所述载板的一侧；

S20、在所述封装层上制作传输层，使所述半导体芯片的正面与所述传输层电性连接；

S30、在所述传输层上制作布线层和天线层；

S40、在所述封装层远离所述载板的一面涂覆感光油墨，形成阻焊层，并使所述阻焊层覆盖所述布线层的非焊盘区和所述天线层以及使所述布线层的焊盘区外露于所述阻焊层；

S50、提供金属凸块，将所述金属凸块植入所述焊盘区。

7.根据权利要求6所述的大板扇出型双面天线封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S10具体包括以下步骤：

S10a、提供载板和第一剥离层，将所述第一剥离层贴于所述载板的第一面；

S10b、提供若干第一半导体芯片，将所述第一半导体芯片贴于所述第一剥离层上，并使所述第一半导体芯片的正面朝向背离所述载板的一侧；

S10c、在所述载板的第一面制作第一封装层，使所述第一封装层覆盖所述第一面和所述第一半导体芯片；

S10d、提供第二剥离层，翻转所述载板，将所述第二剥离层贴于所述载板的第二面；

S10e、提供若干第二半导体芯片，将所述第二半导体芯片贴于所述第二剥离层上，并使所述第二半导体芯片的正面朝向背离所述载板的一侧；

S10f、在所述载板的第二面制作第二封装层，使所述第二封装层覆盖所述第二面和所述第二半导体芯片。