[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，定义有显示区和弯折区，在所述显示区内包括：

柔性基底；

多个薄膜晶体管单元，设于所述柔性基底上；

多个换线单元，设于所述柔性基底上，所述换线单元与所述薄膜晶体管单元相应间隔设置；

有机填充层，设于所述柔性基底上，填充所述薄膜晶体管单元与所述换线单元之间的间隙并覆盖所述薄膜晶体管单元与所述换线单元；

源漏极层，设于所述有机填充层上；

平坦层，设于所述源漏极层上；

阳极层，设于所述平坦层上；以及

像素定义层，设于所述阳极层上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机填充层的材料包括聚酰亚胺或亚克力。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管单元包括：

隔热层，设于所述柔性基底上；

缓冲层，设于所述隔热层上；

有源层，设于所述缓冲层上；

第一绝缘层，设于所述有源层上；以及

第一金属层，设于所述第一绝缘层上；

其中，所述源漏极层与所述有源层电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第一金属层的形状及尺寸相同。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括

第二绝缘层，设于所述第一金属层上；以及

第二金属层，设于所述第二绝缘层上。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一金属层和所述第二绝缘层之间还包括所述有机填充层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述换线单元包括：

隔热层，设于所述柔性基底上；

缓冲层，设于所述隔热层上；

第一绝缘层，设于所述缓冲层上；以及

第一金属层，设于所述第一绝缘层上；

其中，所述源漏极层与所述第一金属层电连接。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机填充层包括第一有机层和位于所述第一有机层上的第二有机层；

所述第一有机层完全覆盖所述换线单元和所述薄膜晶体管单元；或

所述第一有机层完全覆盖所述换线单元。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一柔性基底；

制作隔热层，在所述柔性基底上制作隔热层；

制作缓冲层，在所述隔热层上制作缓冲层；

制作有源层，在所述缓冲层上制作有源层并图案化处理，并对所述有源层进行掺杂；

制作第一绝缘层，在所述有源层上制作第一绝缘层；

制作第一金属层，在所述第一绝缘层上制作第一金属层并图案化处理；

形成薄膜晶体管单元与换线单元，通过依次蚀刻所述第一绝缘层、所述缓冲层和所述隔热层以制作多个薄膜晶体管单元和多个换线单元，所述换线单元与所述薄膜晶体管单元相应间隔设置；在所述薄膜晶体管单元与所述换线单元相应位置定义为显示区，在不包含所述薄膜晶体管单元与所述换线单元的位置定义为弯折区；

制作第一有机层，在所述柔性基底上沉积有机材料以形成第一有机层，所述第一有机层填充所述薄膜晶体管单元与所述换线单元的间隙并覆盖所述薄膜晶体管单元与所述换线单元；

制作源漏极层，在所述有机填充层上制作源漏极层并图案化处理；部分所述源漏极层与所述有源层电连接；部分所述源漏极层与所述第一金属层电连接；

制作平坦层，在所述源漏极层上制作平坦层；

制作阳极层，在所述平坦层上制作阳极层；以及

制作像素定义层，在所述阳极层上制作像素定义层。