[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤S10，提供一基板，在所述基板上形成无机膜层和薄膜晶体管以及触控信号线，其中，所述触控信号线制备于所述无机膜层表面且与所述薄膜晶体管的源/漏极同层；

步骤S20，在所述源/漏极以及所述触控信号线表面制备无机绝缘层，并在所述无机绝缘层表面形成图案化的公共电极；

步骤S30，在所述公共电极表面制备钝化层，并通过同一道光罩制程图案化所述钝化层以及所述无机绝缘层，形成露出所述漏极以及所述触控信号线的第一过孔，以及形成露出所述公共电极的第二过孔；

步骤S40，在所述钝化层表面形成图案化的像素电极以及触控电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极电连接，所述触控电极分别通过所述第一过孔以及所述第二过孔与所述触控信号线以及所述公共电极电连接，以使所述触控信号线与所述公共电极通过所述触控电极桥接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S10包括以下步骤：

步骤S101，在所述基板上制备遮光层，并对所述遮光层进行图案化形成遮光图块；

步骤S102，在所述遮光图块上依次制备缓冲层和非晶硅层，对所述非晶硅层进行图案化，并对图案化的所述非晶硅层进行激光镭射及退火工艺，形成多晶硅层；

步骤S103，在所述多晶硅层上依次制备栅极绝缘层以及栅极金属层，对所述栅极金属层进行图案化以形成栅极，以及对所述多晶硅层进行离子掺杂以形成有源层；

步骤S104，在所述栅极上制备层间绝缘层，通过同一道光罩制程对所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层进行图案化以形成露出所述有源层的源漏重掺杂区的源/漏极过孔；

步骤S105，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层，并对所述源漏金属层进行图案化以形成对应所述源/漏极过孔的所述源/漏极，以及形成与所述源/漏极绝缘的所述触控信号线。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S103包括以下步骤：

对所述栅极金属层进行第一次图案化以形成栅极中间图块，以所述栅极中间图块为掩膜对位于所述栅极中间图块两侧的所述多晶硅层进行离子掺杂，形成所述源漏重掺杂区；

对所述栅极金属层进行第二次图案化以形成所述栅极，以所述栅极为掩膜对位于所述栅极两侧的所述多晶硅层进行离子掺杂，在所述多晶硅层对应所述栅极部分的两侧形成轻掺杂区。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素电极以及所述触控电极是采用同种材料并经由同一道光罩制程同时形成的，所述像素电极以及所述触控电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化锌铝中的一种或一种以上。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述无机绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅中的一种或一种以上。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶体管层，设置于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括源/漏极；

触控信号线，所述触控信号线与所述源/漏极同层且绝缘设置；

无机绝缘层，设置于所述触控信号线和所述源/漏极上；

公共电极，间隔的设置于所述无机绝缘层上；

钝化层，设置于所述公共电极上；

像素电极，设置于所述钝化层上，并通过第一过孔与所述薄膜晶体管的所述源/漏极电连接；

触控电极，与所述像素电极同层设置，所述触控电极分别与所述触控信号线以及所述公共电极电连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔对应所述触控信号线以及所述源/漏极设置，所述第一过孔贯穿所述钝化层以及所述无机绝缘层并与所述触控信号线以及所述源/漏极接触，所述触控信号线通过与之对应的所述第一过孔与所述触控电极电连接。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述钝化层上对应所述公共电极的位置形成有第二过孔，所述触控电极通过所述第二过孔与所述公共电极电连接。